[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法在审
申请号: | 202111096616.X | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114203770A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 林泰佑;具本龙;金亨俊;张殷齐;朱章福 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本申请涉及显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括:衬底;像素电路层,在衬底上并包括薄膜晶体管;显示元件层,在像素电路层上并且包括电连接到薄膜晶体管的显示元件;滤色器层,在显示元件层上,并且包括滤色器和黑色矩阵,滤色器与显示元件重叠,黑色矩阵具有与滤色器接触的第一侧和在衬底的边缘方向上延伸的第二侧;以及阻挡层,在黑色矩阵和衬底之间,其中,阻挡层的末端与黑色矩阵的端部没有台阶差。
技术领域
一个或多个实施方式的方面涉及显示装置及制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置是一种可视地显示数据的装置。显示装置可以用作诸如蜂窝电话等的小尺寸产品的显示器或者诸如电视等的大尺寸产品的显示器。
近来,随着显示装置的多样化使用,已经进行了各种尝试来开发改进显示装置的质量的设计。例如,随着显示装置的尺寸变大,已经积极地研究了最小化显示装置的非显示区域的面积的方法。
为了制造工艺的效率,可以通过使用包括在母衬底上形成用于多个单元区域的多个显示面板并切割每个单元区域的制造方法来制造显示装置。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,且因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施方式的方面涉及显示装置及制造显示装置的方法,并且例如涉及非显示区域的面积被最小化或相对减小以提高显示质量的显示装置及制造显示装置的方法。
在根据现有技术的显示装置及制造显示装置的方法中,在切割工艺期间,位于与切割线相邻的区域中的组件可能被损坏并且非显示区域可能增大,且因此,显示质量可能变差。
本公开的一些实施方式的方面可以包括用于通过最小化或减小非显示区域的面积来改善显示质量的显示装置以及制造显示装置的方法。然而,这些特性是示例,并不限制根据本公开的实施方式的范围。
另外的方面将在随后的描述中部分地阐述,并且部分地将从描述中变得更加明显,或者可以通过本公开所呈现的实施方式的实践来获知。
根据一个或多个实施方式,显示装置包括:衬底;在衬底上的像素电路层,像素电路层包括薄膜晶体管;在像素电路层上的显示元件层,显示元件层包括电连接到薄膜晶体管的显示元件;在显示元件层上的滤色器层,滤色器层包括滤色器和黑色矩阵,滤色器与显示元件重叠,黑色矩阵具有与滤色器接触的一侧和在衬底的边缘方向上延伸的另一侧;以及在黑色矩阵和衬底之间的阻挡层,其中,阻挡层的末端与黑色矩阵的端部没有台阶差。
根据一些实施方式,显示装置还可以包括在薄膜晶体管的半导体层和衬底之间的底部金属层,并且阻挡层和底部金属层可以包括相同的材料。
根据一些实施方式,阻挡层和薄膜晶体管的栅极可以包括相同的材料,或阻挡层和薄膜晶体管的源极或漏极可以包括相同的材料。
根据一些实施方式,阻挡层可以包括第一层和在第一层上的第二层。
根据一些实施方式,显示装置还可以包括在薄膜晶体管的半导体层和衬底之间的底部金属层。此外,第一层和底部金属层可以包括相同的材料,并且第二层和薄膜晶体管的栅极可以包括相同的材料,或者第二层和薄膜晶体管的源极或漏极可以包括相同的材料。
根据一些实施方式,第一层和薄膜晶体管的栅极可以包括相同的材料,并且第二层和薄膜晶体管的源极或漏极可以包括相同的材料。
根据一些实施方式,第一层的上表面可以接触第二层的下表面。
根据一些实施方式,至少一个绝缘层可以布置在第一层和第二层之间,并且至少一个绝缘层可以具有连接第一层和第二层的至少一个接触孔。
根据一些实施方式,阻挡层可以沿着衬底的至少一个边缘延伸,并且阻挡层的末端可以与衬底的至少一个边缘没有台阶差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的