[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示设备在审
| 申请号： | 202111096049.8 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115832002A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 罗利;向舟翊;陈勇;周鹏;杨晓敏;任磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 面板 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括栅极、半导体层和源漏极，其中，所述半导体层包括：
靠近所述栅极的第一半导体层；
远离所述栅极、且与所述源漏极接触的第二半导体层，所述第二半导体层的化学稳定性高于所述第一半导体层的化学稳定性。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层还包括位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的至少一层中间层，
所述中间层的电子迁移率高于所述第一半导体层和/或所述第二半导体层的电子迁移率。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述中间层包括金属层，所述金属层的材料包括铜、银、钨中的一种。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述中间层还包括第三半导体层。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述至少一层中间层的厚度总和的范围在40nm至120nm之间。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括氧化镓、氧化锌、氧化铟，所述第一半导体层中的氧化锌的含量小于所述第二半导体层中的氧化锌的含量。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，
所述第一半导体层中的氧化镓、氧化锌、氧化铟的含量比为1∶1∶1；
所述第二半导体层中的氧化镓、氧化锌、氧化铟的含量比为1∶(1.1～1.3)∶1。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度总和的范围在62nm至95nm之间。
9.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
在衬底基板上形成栅极、半导体层和源漏极，其中，形成所述半导体层包括：
在所述栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一半导体层，所述第一半导体层靠近所述栅极的一侧；
在远离所述栅极的一侧形成第二半导体层，在所述第二半导体层的远离所述衬底基板的一侧形成源漏极，所述源漏极与所述第二半导体层接触，所述第二半导体层的化学稳定性高于所述第一半导体层的化学稳定性。
10.根据权利要求9所述的制造方法，还包括在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成至少一层中间层，
其中，所述中间层的电子迁移率高于所述第一半导体层和/或所述第二半导体层的电子迁移率。
11.一种显示面板，包括权利要求1至8中任一项所述的薄膜晶体管。
12.一种显示设备，包括权利要求11所述的显示面板。
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