[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置

权利要求书

1.一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于，包括基底、二维过渡金属硫属化合物层、导热绝缘弹性材料部、四氧化三铁颗粒、第一电极、第二电极，所述二维过渡金属硫属化合物层置于所述基底上，所述导热绝缘弹性材料部设置在所述二维过渡金属硫属化合物层上的中部，所述四氧化三铁颗粒设置在所述导热绝缘弹性材料部上，所述第一电极和所述第二电极分别置于所述二维过渡金属硫属化合物层上所述导热绝缘弹性材料部的两侧。

2.如权利要求1所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述导热绝缘弹性材料部的表面设有凹坑，所述四氧化三铁颗粒镶嵌于所述凹坑内。

3.如权利要求2所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒的至少一半被镶嵌在所述凹坑内。

4.如权利要求3所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：还包括四氧化三铁层，所述四氧化三铁层覆盖所述导热绝缘弹性材料部所述凹坑外的表面。

5.如权利要求4所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁层与所述四氧化三铁颗粒接触。

6.如权利要求1-5任一项所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述二维过渡金属硫属化合物层的材料为硫化钼、碲化钼、硒化钼、硫化钨、碲化钨、硒化钨。

7.如权利要求6所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述导热绝缘弹性材料部的材料为导热绝缘弹性橡胶。

8.如权利要求7所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极的材料为金或银。

9.如权利要求8所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒的直径小于10微米。

10.如权利要求1-9任一项所述的二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁层的厚度小于5微米。