[发明专利]一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法

权利要求书

1.一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述薄膜封装Test key的制作，包括如下步骤：

S1：在玻璃基板（1）上制备TFT驱动器（2），在制备TFT驱动器（2）时，玻璃基板（1）边缘中的衬底层（11）与TFT驱动器（2）中的硅氮化物层在同一层，即在制备TFT驱动器（2）时，沉积在玻璃基板（1）边缘的硅氮化物层形成衬底层（11），再在TFT驱动器（2）制备像素定义层（3），像素定义层（3）经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，然后再在像素定义层（3）的开口处溅射一层阳极（4）；

S2：在步骤S1的基础上制备OLED 发光器件（5），然后再在OLED 发光器件（5）上制备阴极，其中阴极包含Mg阴极（6）和Ag阴极（7）；

S3：在步骤S2的基础之上沉积第一层水氧阻挡层（8），再在第一层水氧阻挡层（8）上涂布有机缓冲层（9），最后在有机缓冲层（9）上沉积第二水氧阻挡层（10）；

所述检测方法包括如下步骤：

步骤1：通过测试水氧检测Test key的可见光的透过率变化，反馈出水氧侵入的程度，当水氧从第一层水氧阻挡层（8）、有机缓冲层（9）和第二水氧阻挡层（10）的缝隙中渗透进入阳极（4）和阴极时，Ag阴极（7）易被水氧氧化成氧化银，氧化银为黑色固体，氧化银在可见光下的透过率比金属银的透过率要低；

步骤2：当刚刚薄膜封装完水氧检测Test key的可见光的透过率为93%-95%，经过器件在温度为40°，100%rh条件下放置一段时间t之后，再去检测水氧检测Test key的可见光的透过率为T，其中在可见光的透过率变化的速率为（T-95%）/t，其中可见光的透过率的变化速率和水氧透过率WVTR成正比，即K=（T-95%）/(tWVTR)，其中K为常数，其值根据实际环境的不同而不同，因此可根据测算Test key的可见光的透过率变化来测试水氧侵入的程度，进一步地反馈出器件后续的使用寿命缩短程度，以及器件缺陷的地方。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述TFT驱动器（2）采用栅型结构或者蚀刻阻挡型结构，所述衬底层（11）的材料为硅氮化物或者SiO₂，其厚度范围为1μm-2μm。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述像素定义层（3）的厚度范围为2μm-3μm，像素定义层（3）的材料包括聚胺、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、聚硅烷中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述阳极（4）为ITO/Ag/ITO，其中第一层ITO的厚度范围为0.005-0.02μm，第二层ITO的厚度范围为0.01μm-0.02μm，其中Ag的厚度范围为0.05μm-0.15μm。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述Mg阴极（6）的厚度范围为0.005-0.02μm，Ag阴极（7）的厚度范围为0.05μm-0.15μm。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述第一层水氧阻挡层（8）的厚度范围为0.6μm-1μm，其材料为硅氮化物，SiNC或者SiO₂。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述有机缓冲层（9）的厚度范围为1μm-3μm，有机缓冲层（9）中的有机薄膜材料为聚酰亚胺。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜封装Test key的检测方法，其特征在于：所述第二水氧阻挡层（10）的厚度范围为0.6μm-1μm，其材料为硅氮化物，SiNC或者SiO₂。