[发明专利]一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法

说明书

本发明公开了一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法，S1：在玻璃基板上制备TFT驱动器，在制备TFT驱动器时，玻璃基板边缘中的衬底层与TFT驱动器中的SiNsubgt;x/subgt;层在同一层，即在制备TFT驱动器时，沉积在玻璃基板边缘的SiNsubgt;x/subgt;层形成衬底层，再在TFT驱动器制备像素定义层，像素定义层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，然后再在像素定义层的开口处溅射一层阳极；S2：在步骤S1的基础上制备OLED发光器件，然后再在OLED发光器件上制备阴极，其中阴极包含Mg阴极和Ag阴极；S3：在步骤S2的基础之上沉积薄膜封装层。本发明可以高效和快速地检测出薄膜封装的OLED显示器是否失效，以及水氧侵蚀的程度，为后续维修和使用提供一个方向，并且在器件的开发方面具有重要意义。

技术领域

本发明属于OLED 显示器技术领域，具体涉及一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法。

背景技术

在有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode）OLED显示器具备低功耗，宽视角，响应速度快，超轻期薄，抗震性好等特点，使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置；

在OLED器件制备中，发光层通常采用高分子聚合物，阴极采用活泼的金属镁和银，这些材料对水、氧都很敏感，水/氧对OLED器件的渗透对OLED的寿命影响很大，所以为了达到OLED量产商业化，薄膜封装对OLED器件的稳定性和寿命非常重要，因此封装工艺减少水氧的渗透，对OLED器件制作良率的提高具有非常重要的意义；

薄膜封装：首先通过PECVD制作Barrier layer(隔绝层)，然后通过PECVD或者IJP沉积Buffer layer(平坦层)，依次顺序制备3-5层，完成TFE （Thin Film Encapsulation）封装，TFE （Thin Film Encapsulation）封装中Barrier layer(隔绝层)多采用无机薄膜，比如氮化硅，起到阻隔水氧的作用，Buffer layer(平坦层)多采用有机薄膜，比如高分子聚合物、树脂等，其作用就是覆盖无机层的缺陷，实现平坦化，可以释放无机层之间的应力，实现柔性封装；

OLED显示器中的有机发光材料，阴极和阳极的金属材料对水氧的敏感度极高，因此需要封装结构来保护OLED显示器，受到轻薄化的趋势，封装结构随着水氧的侵蚀也容易失效，造成OLED器件内部功能层失效，进而导致OLED显示器寿命短，亮度低等异常；为此，我们提出一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜封装Test key的制作方法和检测方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种薄膜封装Test key的制作方法，包括如下步骤：

S1：在玻璃基板上制备TFT驱动器，在制备TFT驱动器时，玻璃基板边缘中的衬底层与TFT驱动器中的SiN_x层在同一层，即在制备TFT驱动器时，沉积在玻璃基板边缘的SiN_x层形成衬底层，再在TFT驱动器制备像素定义层，像素定义层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，然后再在像素定义层的开口处溅射一层阳极；

S2：在步骤S1的基础上制备OLED 发光器件，然后再在OLED 发光器件上制备阴极，其中阴极包含Mg阴极和Ag阴极；

S3：在步骤S2的基础之上沉积第一层水氧阻挡层，再在第一层水氧阻挡层上涂布有机缓冲层，最后在有机缓冲层上沉积第二水氧阻挡层。

所述TFT驱动器采用栅型结构或者蚀刻阻挡型结构，所述衬底层的材料为SiN_x或者SiO₂，其厚度范围为1um-2um。