[发明专利]DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种DDR芯片极限性能测试方法，其特征在于，所述方法包括：

对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试；

对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，所述环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；

对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，所述模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；

根据所述兼容性测试结果、所述环境适用性测试结果、所述模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试包括：

控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步提高，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第一速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第一速率阈值，将所述第一速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压上限值；

控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步降低，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第二速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第二速率阈值，将所述第二速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压下限值；

根据所述输入电压上限值以及所述输入电压下限值确定DDR芯片的电压适用值范围；

获取DDR芯片在所述电压适用值范围内的最大运行速率，并将所述电压适用值范围内的最大运行速率对应的输入电压作为DDR芯片的最佳运行电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试还包括：

将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的频率从预设的标准频率逐步上调，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第三速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第三速率阈值，将所述第三速率阈值对应的频率作为DDR芯片的频率上限值；

将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的频率从预设的标准频率逐步下调，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第四速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第四速率阈值，将所述第四速率阈值对应的频率作为DDR芯片的频率下限值；

根据所述频率上限值以及所述频率下限值确定DDR芯片的频率适用范围；

获取DDR芯片在所述频率适用范围内的最大运行速率，并将所述频率适用范围内的最大运行速率对应的频率作为DDR芯片的最佳运行频率。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对DDR芯片进行兼容性测试还包括：

将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的延时时序从预设的标准时序逐步上调，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第五速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第五速率阈值，将所述第五速率阈值对应的时序作为DDR芯片的时序上限值；

将DDR芯片的输入电压设定为所述最佳运行电压，并控制DDR芯片的延时时序从预设的标准时序逐步下调，并实时测量DDR芯片的运行速率；

判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第六速率阈值；

若DDR芯片的运行速率等于预设的第六速率阈值，将所述第六速率阈值对应的时序作为DDR芯片的时序下限值；

根据所述时序上限值以及所述时序下限值确定DDR芯片的时序适用范围；

获取DDR芯片在所述时序适用范围内的最大运行速率，并将所述时序适用范围内的最大运行速率对应的时序作为DDR芯片的最佳运行时序。