[发明专利]一种改善薄片抛光波纹不良方法

说明书

本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，括如下步骤；步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；所述硅片的厚度为300um以下；步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；步骤四，硅片进行抛光。本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种改善薄片抛光波纹不良方法。

背景技术

在硅片抛光领域对于薄片(300um以下厚度的硅片)，在抛光中易造成波纹不良。主要原因是硅片自身厚度比常规产品要薄，在抛光各工序的加工过程中容易受到外力过大造成产品形变，形变后在抛光完成后就会造成产品的波纹不良。

波纹不良是指波纹终检目视时，硅片平放在检查台三角支架上，身体前后移动目视观察硅片局部位置发生表面波纹(硅片局部轻微连续高低起伏)。

发明内容

本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，已解决以上至少一个技术问题。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供了一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；

步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；

步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；

所述硅片的厚度为300um以下；

步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；

步骤四，硅片进行抛光。

本专利通过三个方向改善了硅片厚度为300um以下产品的抛光波纹不良的问题。

通过控制吸盘的吸力减少在贴付反转吸头吸力过大造成薄片形变。

涂蜡量将传统的0.9ml/枚更改为0.7ml/枚。主要防止硅片比较薄涂蜡量较多蜡膜不均匀抛光中发生形变造成波纹不良。

进一步优选地，步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。

进一步优选地，粗抛参数压力为3-4Kg/cm²，抛光头转速为50-60rpm，抛光液PH值为10-11，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为32-50℃，去除量为14-16um，时间为20-40分钟。

进一步优选地，中抛参数压力为1.0-1.5Kg/cm²，抛光头转速为40-45rpm；

首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为27-35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟；中抛时，去除量为1-2um。

进一步优选地，精抛参数压力为01-1.5Kg/cm²，抛光头转速40-45rpm，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为0.5-0.7L/min，抛光时定盘的温度为30-40℃，去除量无，抛光时间10分钟。

步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37-38mm，吸盘翻转，吸盘加速下降，吸盘减速加压2s后，吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。

吸盘减速加压设定为2s，将吸盘吸附时间从原设定的2.5s更改为2.0s，最大程度上保证在硅片贴付中接触到陶瓷板的瞬间进行放气完成，防止接触的陶瓷板后放气不及时造成硅片形变。

进一步优选地，步骤二中，吸盘的上升速度为3000mm/min。