[发明专利]一种改善薄片抛光波纹不良方法

权利要求书

1.一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于，包括如下步骤；

步骤一，在硅片的上表面涂蜡，且涂蜡量为0.7ml/枚；

步骤二，采用吸盘将硅片进行吸取，吸盘的吸力控制在15mm/Hg以下；

所述硅片的厚度为300um以下；

步骤三，吸盘将硅片吸附到陶瓷板上进行贴附；

步骤四，硅片进行抛光。

2.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤四中，抛光采用三阶段抛光，分别为前后设置的粗抛、中抛以及精抛。

3.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：粗抛参数压力为3-4Kg/cm²，抛光头转速为50-60rpm，抛光液PH值为10-11，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为32-50℃，去除量为14-16um，时间为20-40分钟。

4.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：中抛参数压力为1.0-1.5Kg/cm²，抛光头转速为40-45rpm；

首先采用抛光液抛光，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为2-3L/min，抛光时定盘的温度为27-35℃，时间为5分钟，然后，研磨液抛光结束再增加纯水抛光5分钟；

中抛时，去除量为1-2um。

5.根据权利要求2所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：精抛参数压力为01-1.5Kg/cm²，抛光头转速为40-45rpm，抛光液的PH值为8-9，抛光液流量为0.5-0.7L/min，抛光时定盘的温度为30-40℃，去除量无，抛光时间10分钟。

6.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤二中，吸盘采用15mm/Hg的吸力加速上升37-38mm，吸盘翻转，吸盘加速下降，吸盘减速加压2s后，吸盘停止吸气，吸盘向下加压保持2.5s。

7.根据权利要求6所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤二中，吸盘的上升速度为3000mm/min。

8.根据权利要求6所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：吸盘减速加压的速度为50-60mm/min。

9.根据权利要求1所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：步骤一，涂蜡时，硅片放置在研磨盘上，将0.7ml/枚蜡滴在硅片表面且距离硅片中心为5～7mm。

10.根据权利要求9所述的一种改善薄片抛光波纹不良方法，其特征在于：所述研磨盘的上方安装有用于对硅片外边缘进行定位的硅片边缘定位机构。