[发明专利]一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法

权利要求书

1.一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将SiC多孔陶瓷和铜基金属作为预浸渗体；然后采用碳化硅砂对预浸渗体进行填埋使预浸渗体的底部和周围分布碳化硅砂，在无氧环境下升温进行无压浸渗，无压浸渗完成后，降温即得双连续相SiC/Cu复合材料；所述无氧环境通过向环境中充入氩气形成；所述填埋通过以下方式实现：在坩埚底部铺设一层碳化硅砂，然后将预浸渗体放置在坩埚底部的碳化硅砂上，并在预浸渗体周围填满碳化硅砂，压实即可。

2.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述碳化硅砂的平均粒径为1～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述无压浸渗的温度为铜基金属熔点以上50～300℃。

4.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述SiC多孔陶瓷的孔隙率为80～90％。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述SiC多孔陶瓷的孔密度为10～20ppi；所述SiC多孔陶瓷的平均孔径为1.6～2.5mm。

6.根据权利要求1所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述铜基金属为锡青铜。

7.根据权利要求1或6所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述无氧环境下无压浸渗的温度为1100～1200℃；所述无氧环境下无压浸渗的时间为30～90min。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，其特征在于，所述升温的速度为4～6℃/min。