[发明专利]极紫外光室、用于与极紫外光室使用的组件及其使用方法

说明书

极紫外光室、用于与极紫外光室使用的组件及其使用方法在此叙述。组件包括环体结构。环体结构包括外环体及于外环体径向之内的内环体。组件还包括真空接口，其用以连接且接触内环体，其中内环体具有开口，开口的大小可调整使一个装置可穿过并进入真空接口。

技术领域

本揭露有关于一种极紫外光室、用于与极紫外光室使用的组件及其使用方法，更具体地有关于一种具有保护元件的极紫外光室、用于与极紫外光室使用的组件及其使用方法。

背景技术

半导体光刻过程可使用光刻模板(如光罩或光标(reticles))，以光学方式将图案转移到一基板。例如，可以通过将辐射源通过之间的光罩投射到具有光敏材料(例如光刻胶)涂层的基板上来完成这样的过程。这种光刻工艺可图案化的最小特征尺寸受到投射辐射源波长的限制。鉴于此，已经引入了极紫外(EUV)辐射源和光刻工艺。极紫外系统利用反射而不是传统的折射光学器件，对污染问题非常敏感。特别是，粒子污染被引入到极紫外光室(如产生极紫外光的地方)的表面上，会导致极紫外光室的各种组件的退化。因此，有必要对极紫外光室进行定期检查和预防性维护。然而，现有的极紫外光室检测技术在各方面都不能完全令人满意，业界需要一种解决方案。

发明内容

根据一些实施方式，与极紫外光室使用的组件包括环体结构及真空接口。环体结构包括外环体及设置于外环体径向内的内环体。真空接口将与内环体连接和接触内环体。内环体具有开口。开口的大小可调整以使装置穿过并进入真空接口。

根据一些实施方式，极紫外光室包括腔室体、设置在腔室体一侧的真空口、提供至真空口的真空接口及连接至真空接口的环体结构。环体结构包括内环体及外环体。内环体包含多个重叠叶片。多个重叠叶片被操作朝向或远离内环体中心移动，以调整内环体的开口的大小。外环体围绕内环体设置。外环体具有第一部分及从第一部分突出的第二部分，第一部分及第二部分接触内环体。内环体接触真空接口的一部分。

根据一些实施方式，一种用以一装置连接至真空接口的方法包括提供环体结构，其包括内环体及围绕内环体的外环体。内环体包括多个重叠叶片以定义内环体的开口的边界。方法还包括将环体结构锁固至真空接口的一部分，使真空接口的该部分接触内环体。方法还包括将真空接口提供至设置于极紫外光室一侧的真空口。方法还包括将装置插入穿过环体结构，真空接口，并进入真空口，以对极紫外光室执行一预防性维护。方法还包括操作多个重叠叶片朝向或远离该内环体中心移动，以依照装置的轮廓调整开口的大小。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本揭露的各方面。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，可以任意地增加或减小各种特征的尺寸。

图1为依据一些实施例的极紫外光辐射源的示意图；

图2A为依据一些实施例的极紫外光室的一部分的透视图；

图2B为依据一些实施例的图2A中真空口的放大图；

图3为依据一些实施例的与真空接口接合的保护元件的剖面图；

图4为依据一些实施例的可用来保护真空接口的示范保护元件的透视图；

图5为依据一些实施例的装置还未完全插入真空口的剖面图；

图6A及图6B为依据一些实施例的在两种不同状态下操作的示范内环体的前视图；

图6C依据一些实施例，揭示图6A的内环体的一些部分；

图6D为内环体沿着图6C的线A-A的剖面图；

图7A为依据一些替代实施例的示范环体的前视图；

图7B、图7C及图7D揭示一些叶片的示范形状，其依据一些实施例可用于内环体；

图8A至8D为内环体在不同状态下操作以调整开口大小的前视图；