[发明专利]像素驱动电路和移动终端

权利要求书

1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包括：

电源单元；

驱动单元；

发光单元，所述发光单元电性连接于所述电源单元和所述驱动单元之间，所述发光单元包括有机发光二极管；

侦测单元，所述侦测单元和所述有机发光二极管串联连接，所述侦测单元具有参数，所述参数和流经所述侦测单元的电荷量相关；

获取单元，所述获取单元电性连接于所述侦测单元，所述获取单元用于获取所述侦测单元的所述参数；

其中，所述侦测单元包括：

多个忆阻器，所述参数包括其中一所述忆阻器的电阻值；

子侦测单元，所述子侦测单元包括反向串联连接的两所述忆阻器，所述子侦测单元具有第一子参数，所述参数包括所述第一子参数，所述第一子参数和流经所述子侦测单元的电荷量相关，所述第一子参数为其中一所述忆阻器的电阻值。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述侦测单元包括：

多个所述子侦测单元，多个所述子侦测单元并联连接，每一所述第一子参数和流经对应的所述子侦测单元的电荷量相关，流经所述侦测单元的电荷量等于流经多个所述子侦测单元的电荷量之和。

3.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述子侦测单元中反向串联连接的两所述忆阻器相同，当有电流流经所述侦测单元和所述发光单元时，所述第一子参数与流经所述子侦测单元的电荷量的关系式如下：

其中，Q1为流经所述子侦测单元的电荷量，R_a1为其中一所述忆阻器的电阻值，D为对应的所述忆阻器的活性区的厚度，µ为对应的所述忆阻器中掺杂物的平均迁移率，R_off为忆阻器的关态电阻，R_on为忆阻器的开态电阻，R_a1大于R_on且不小于R_off。

4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：

复位单元，所述复位单元电性连接于所述侦测单元，当R_a1等于R_off时，所述复位单元用于将R_a1更新为R_on。

5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，当R_a1等于R_off时，所述复位单元用于向所述侦测单元中传输复位电流，所述复位电流的流向与R_a1不等于R_off时流经所述忆阻器的电流的流向相反。

6.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：

存储单元，所述存储单元电性连接于所述获取单元，所述存储单元用于存储R_a1和R_off相等的次数以及当前的R_a1。

7.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体部和显示面板，所述显示面板包括如权利要求1至6任一所述的像素驱动电路，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。