[发明专利]多晶硅层的制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种多晶硅层的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成第一非晶硅层；

将N-型杂质掺杂至所述第一非晶硅层中；

在N-掺杂的第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；

将P-型杂质掺杂至所述第二非晶硅层中；和

通过将激光束照射在所述N-掺杂的第一非晶硅层和P-掺杂的第二非晶硅层上，使所述N-掺杂的第一非晶硅层和所述P-掺杂的第二非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，进一步包括在使所述N-掺杂的第一非晶硅层和所述P-掺杂的第二非晶硅层结晶之前，清洁所述非晶硅层，

其中所述非晶硅层的所述清洁包括：

用氢氟酸清洁所述非晶硅层；和

用去离子水冲洗所述非晶硅层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中在所述用氢氟酸清洁所述非晶硅层之后，在所述非晶硅层的表面上测量的与水的接触角小于20度。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一非晶硅层的厚度为或更大且或更小。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二非晶硅层的厚度为或更大且或更小。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述N-型杂质的所述掺杂用大于0且小于20keV的加速电压和1e14个原子/cm²或更大且1e16个原子/cm²或更小的剂量进行。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述P-型杂质的所述掺杂用大于0且小于20keV的加速电压和1e14个原子/cm²或更大且1e16个原子/cm²或更小的剂量进行。

8.一种显示装置，包括：

基板；

设置在所述基板上的薄膜晶体管；和

设置在所述薄膜晶体管上的显示元件，

其中所述薄膜晶体管包括：

设置在所述基板上的有源图案，所述有源图案包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；

设置在所述有源图案上的栅绝缘层；和

在对应于所述沟道区的区中设置在所述栅绝缘层上的栅电极，并且

其中所述沟道区包括N-型杂质和P-型杂质。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述P-型杂质的浓度随着所述沟道区接近所述栅绝缘层而增加。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述N-型杂质的浓度随着距所述栅绝缘层的距离的增加而增加。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述有源图案的厚度为或更大且或更小。

12.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述沟道区内所述P-型杂质的浓度和所述N-型杂质的浓度相同。