[发明专利]IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质

说明书

本申请涉及一种IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数；根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。采用本方法能够提高得到的待测IGBT器件的杂散参数的准确度。

技术领域

本申请涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

随着电力电子技术的发展，电力电子器件越来越多的被用在高频率的电能变换上，而半导体器件在高频率的电能变换上起着重要作用。而杂散参数的存在对半导体器件在高频下的动作有较大影响，因此需要对半导体器件的杂散参数进行精确测试为电能变换器的设计与制作提供充足的技术支持。

常用的功率半导体器件通常是三端器件，包括G极、S极和D极，使用时通过控制GS极的电压来控制DS极之间的开断状态。目前常用的电力电子器件的杂散参数评估通常是使用阻抗分析仪直接依次测试功率半导体的三个待测端两两之间的阻抗，例如，测试DS之间的杂散参数则将DS两极通过同轴电缆连接到阻抗分析仪上，G极悬空，通过三个待测端两两之间的阻抗对功率半导体器件的杂散参数进行测试。

然而，传统的对半导体器件的杂散参数的测试方法，存在对杂散参数测试准确度较低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高半导体器件的杂散参数测试准确度的IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种IGBT参数的测试方法，所述方法包括：

从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数；其中，所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的；

对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数；

根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数。

在其中一个实施例中，所述网络分析仪与所述待测IGBT器件通过同轴电缆连接，所述对所述传递参数进行转换，得到所述待测IGBT器件的阻抗参数，包括：

根据所述同轴电缆的特征阻抗值和预设的转换公式，对所述传递参数进行转换，得到所述阻抗参数。

在其中一个实施例中，所述杂散参数包括：电容参数、电感参数和电阻参数。

在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电容参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：

在所述待测IGBT器件的测试频率小于谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电容参数。

在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电感参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：

在所述待测IGBT器件的测试频率大于所述谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电感参数。

在其中一个实施例中，所述杂散参数包括电阻参数，所述根据所述阻抗参数，得到所述待测IGBT器件的杂散参数，包括：

在所述待测IGBT器件的测试频率等于所述谐振频率的情况下，通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化，得到所述待测IGBT器件的电阻参数。

在其中一个实施例中，所述待测IGBT器件的测试频率范围为300KHz-300MHz。

一种IGBT参数的测试装置，所述装置包括：