[发明专利]IGBT参数的测试方法、装置、计算机设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202111031511.6 申请日: 2021-09-03
公开(公告)号: CN113899998A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 党晓婧;吕启深;陈腾彪;徐曙 申请(专利权)人: 深圳供电局有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01N27/04
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 梁皓茹
地址: 518001 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: igbt 参数 测试 方法 装置 计算机 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种IGBT参数的测试方法,其特征在于,所述方法包括:

从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数;其中,所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的;

对所述传递参数进行转换,得到所述待测IGBT器件的阻抗参数;

根据所述阻抗参数,得到所述待测IGBT器件的杂散参数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述网络分析仪与所述待测IGBT器件通过同轴电缆连接,所述对所述传递参数进行转换,得到所述待测IGBT器件的阻抗参数,包括:

根据所述同轴电缆的特征阻抗值和预设的转换公式,对所述传递参数进行转换,得到所述阻抗参数。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述杂散参数包括:电容参数、电感参数和电阻参数。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述杂散参数包括电容参数,所述根据所述阻抗参数,得到所述待测IGBT器件的杂散参数,包括:

在所述待测IGBT器件的测试频率小于谐振频率的情况下,通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化,得到所述待测IGBT器件的电容参数。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述杂散参数包括电感参数,所述根据所述阻抗参数,得到所述待测IGBT器件的杂散参数,包括:

在所述待测IGBT器件的测试频率大于所述谐振频率的情况下,通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化,得到所述待测IGBT器件的电感参数。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述杂散参数包括电阻参数,所述根据所述阻抗参数,得到所述待测IGBT器件的杂散参数,包括:

在所述待测IGBT器件的测试频率等于所述谐振频率的情况下,通过所述阻抗参数随所述测试频率的变化,得到所述待测IGBT器件的电阻参数。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的方法,其特征在于,所述待测IGBT器件的测试频率范围为300KHz-300MHz。

8.一种IGBT参数的测试装置,其特征在于,所述装置包括:

第一获取模块,用于从网络分析仪中获取待测IGBT器件的传递参数;其中,所述传递参数为所述网络分析仪采用双端测试的方法对所述待测IGBT器件进行S参数测试得到的;

转换模块,用于对所述传递参数进行转换,得到所述待测IGBT器件的阻抗参数;

第二获取模块,用于根据所述阻抗参数,得到所述待测IGBT器件的杂散参数。

9.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

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