[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号: | 202111014257.9 | 申请日: | 2021-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN113725728B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 王延靖;佟存柱;田思聪;汪丽杰;陆寰宇;张新;王立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
| 代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
| 地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层;其中,
所述第一垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第一p型DBR层、第一有源层和第一n型DBR层;
所述第二垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第二n型DBR层、第二有源层和第二p型DBR层;
所述第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于所述第一垂直腔面发射激光器层的台面面积;
所述第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于所述第二垂直腔面发射激光器层的激射波长;
所述第二p型DBR层的反射率大于第二n型DBR层的反射率。
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二垂直腔面发射激光器层的台面直径为5-50μm,所述第一垂直腔面发射激光器层的台面直径为6-400μm。
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二垂直腔面发射激光器层出射的激光束垂直入射到所述第一垂直腔面发射激光器层。
4.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一垂直腔面发射激光器层出射的激光束的方向为背离或者朝向所述衬底。
5.如权利要求1~4中任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,在所述第一p型接触层上制备有第一金属电极,在所述n型接触层上制备有第二金属电极,在所述第二p型接触层上制备有第三金属电极。
6.如权利要求5所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
通过偏置器、第二驱动电源及信号源向所述第二金属电极和所述第三金属电极加载电信号和驱动电流,使得所述第二垂直腔面发射激光器层出射激光束;
通过第一驱动电源向所述第一金属电极加载驱动电流,使得所述第二垂直腔面发射激光器层出射的激光束入射到所述第一垂直腔面发射激光器层时对所述第一垂直腔面发射激光器层进行光调制。
7.一种如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、从下至上依次制备衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层;其中,
所述第一垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第一p型DBR层、第一有源层和第一n型DBR层;
所述第二垂直腔面发射激光器层包括从下至上依次制备的第二n型DBR层、第二有源层和第二p型DBR层;
第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于所述第二垂直腔面发射激光器层的激射波长;
S2、对所述第二p型接触层、所述第二垂直腔面发射激光器层、所述n型接触层、第一垂直腔面发射激光器层进行去料,使得所述第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于所述第一垂直腔面发射激光器层的台面面积。
8.如权利要求7所述的垂直腔面发射激光器的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,去料后的第二p型接触层与去料后的第二垂直腔面发射激光器层的长度与宽度相同,去料后的n型接触层与去料后的第一垂直腔面发射激光器层的长度与宽度相同。
9.如权利要求8所述的垂直腔面发射激光器的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,通过光刻方法对所述第二p型接触层、所述第二垂直腔面发射激光器层、所述n型接触层、第一垂直腔面发射激光器层进行去料。
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