[发明专利]存储器单元编程

说明书

本公开涉及存储器单元编程。具有存储器单元阵列和各自连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元的多个存取线的存储器可包含控制器，所述控制器经配置以使所述存储器进行以下操作：将具有第一目标电压电平和第一脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第一存取线子集中的每一存取线；和将具有所述第一目标电压电平和比所述第一脉冲宽度长的第二脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第二存取线子集中的每一存取线，其中所述第一存取线子集中的每一存取线比所述第二存取线子集中的每一存取线更接近串联连接的存储器单元串的特定端。

本申请要求2020年8月31日提交的美国临时申请案第63/072,259号的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，且特定来说，在一或多个实施例中，本公开涉及用于存储器单元编程的设备和方法。

背景技术

存储器(例如，存储器装置)通常在计算机或其他电子装置中提供为内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(random-access memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory；DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random accessmemory；SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于广泛范围的电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅或电荷陷阱)或其它物理现象(例如，相变或偏振)进行编程，存储器单元的临限电压(Vt)的改变决定每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可拆卸式存储器模块，且非易失性存储器的使用在持续扩增。

NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置，如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列中的列包含在一对选择栅极之间，例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间，串联连接在一起的存储器单元串(常常被称为NAND串)。每个源极选择晶体管可连接到源极，而每个漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的超过一个选择栅极的变型是已知的。

在对存储器进行编程时，存储器单元可编程为通常被称为单层级单元(SLC)的存储器单元。SLC可使用单个存储器单元来表示一位数(例如，一位)数据。举例来说，在SLC中，2.5V或更高的Vt可指示经编程存储器单元(例如，表示逻辑0)，而-0.5V或更低的Vt可指示经擦除存储器单元(例如，表示逻辑1)。此类存储器可以通过包含多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)、四层级单元(QLC)等或其组合来实现较高水平的存储容量，其中存储器单元具有使得能够将更多位数的数据存储于每一存储器单元中的多个层级。举例来说，MLC可经配置以每个由四个Vt范围表示的存储器单元存储两个位数的数据，TLC可经配置以每个由八个Vt范围表示的存储器单元存储三个位数的数据，QLC可经配置以每个由十六个Vt范围表示的存储器单元存储四个位数的数据，等等。