[发明专利]一种参数化定制晶体管版图的设计方法以及芯片版图结构

说明书

本发明提供一种参数化定制晶体管版图的设计方法，其包括根据晶体管的基本结构设计最小晶体管版图单元；根据沟道长度确定栅极宽度和栅极接触孔的个数，根据沟道宽度确定有源区接触孔的个数，根据并联单元的个数复制图形并确定复制距离；根据栅极接触孔设计参数确定栅极接触孔设计规则；根据有源区接触孔设计参数确定有源区接触孔设计规则；生成定制化版图结构。本发明具备灵活性与易用性，可以满足定制化版图要求，能够实现多参数可调。

技术领域

本发明涉及电子信息技术领域，尤其涉及一种参数化定制晶体管版图的设计方法以及应用于该方法的芯片版图结构。

背景技术

在集成电路后端模拟电路版图设计过程中，晶体管是最常用的基本器件，晶体管版图设计是基本版图单元。集成电路制造厂商提供的设计包中的可调参数晶体管版图单元只能简单的设置晶体管的沟道长度和沟道宽度等一些基本的参数，只调节这几个简单参数后无法根据版图布局位置实现定制化版图单元。导致版图设计效率大大降低。因此对于版图设计来说迫切需要一种灵活的，简洁的，多参数可调的晶体管版图设计单元。

目前，市面上最接近的现有技术：集成电路制造厂商提供的设计包中有一种基本的可调参数晶体管版图单元，其有以下缺点：

1、只能实现简单的功能，可以调节的参数太少，面积不是最优。

2、没有考虑版图设计中的布局情况，通用性不好。

3、可调参数单元没有去掉可以通过后期计算生产的层次，视觉上层次太多，容易造成版图设计人员视觉疲劳。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种灵活、简洁，可实现多参数可调的参数化定制晶体管版图的设计方法。

本发明的另一目的是提供一种芯片版图结构。

为了实现上述主要目的，本发明提供的一种参数化定制晶体管版图的设计方法，包括根据晶体管的基本结构设计最小晶体管版图单元；根据沟道长度确定栅极宽度和栅极接触孔的个数，根据沟道宽度确定有源区接触孔的个数，根据并联单元的个数复制图形并确定复制距离；根据栅极接触孔设计参数确定栅极接触孔设计规则；根据有源区接触孔设计参数确定有源区接触孔设计规则；生成定制化版图结构。

进一步的方案中，在生成定制化版图结构之前，还执行：根据其它定制化参数确定晶体管应用类型，并加入对应的标记层。

更进一步的方案中，根据晶体管的基本结构，确定所有必要的设计层次，并去掉可以由后期计算生成的设计层次；其中，该基本结构包括源端、漏端和栅极，根据CMOS晶体管的对称性，将源端和漏端统一设计成有源区，将栅极设计成栅区。

更进一步的方案中，所述设计最小晶体管版图单元具体包括：根据沟道长度确定在栅区内接触孔个数的最大值；根据沟道宽度确定在有源区内接触孔个数的最大值。

更进一步的方案中，所述栅极接触孔设计参数包括：确定是否在栅极上打接触孔；确定栅极接触孔打在栅极上端还是下端；确定栅极接触孔的覆盖金属延伸方向为垂直还是水平；栅极接触孔删减个数；栅极接触孔水平方向移动的距离；栅极多晶硅向上延伸的距离。

更进一步的方案中，所述有源区接触孔设计参数包括：确定是否在有源区打接触孔；确定有源区接触孔上是否覆盖宽金属；有源区接触孔删减个数；有源区接触孔垂直方向的移动距离。

更进一步的方案中，所述其它定制化参数包括：确定是否有晶体管器件类型标记层；确定是否有晶体管电容标记层；确定是否加入阱标记层。

更进一步的方案中，所述生成定制化版图结构包括：加入多个栅极接触孔设计参数和有源区接触孔设计参数，并根据设计规则自动计算出符合定制要求的版图单元。

为了实现上述另一目的，本发明提供的一种芯片版图结构，包括至少一个晶体管版图结构，该晶体管版图结构采用上述的一种参数化定制晶体管版图的设计方法所制作而成。