[发明专利]一种参数化定制晶体管版图的设计方法以及芯片版图结构

权利要求书

1.一种参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于，包括：

根据晶体管的基本结构设计最小晶体管版图单元；

根据沟道长度确定栅极宽度和栅极接触孔的个数，根据沟道宽度确定有源区接触孔的个数，根据并联单元的个数复制图形并确定复制距离；

根据栅极接触孔设计参数确定栅极接触孔设计规则；

根据有源区接触孔设计参数确定有源区接触孔设计规则；

生成定制化版图结构。

2.根据权利要求1所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

在生成定制化版图结构之前，还执行：根据其它定制化参数确定晶体管应用类型，并加入对应的标记层。

3.根据权利要求1所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

根据晶体管的基本结构，确定所有必要的设计层次，并去掉可以由后期计算生成的设计层次；

其中，该基本结构包括源端、漏端和栅极，根据CMOS晶体管的对称性，将源端和漏端统一设计成有源区，将栅极设计成栅区。

4.根据权利要求1所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

所述设计最小晶体管版图单元具体包括：根据沟道长度确定在栅区内接触孔个数的最大值；根据沟道宽度确定在有源区内接触孔个数的最大值。

5.根据权利要求1所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

所述栅极接触孔设计参数包括：确定是否在栅极上打接触孔；确定栅极接触孔打在栅极上端还是下端；确定栅极接触孔的覆盖金属延伸方向为垂直还是水平；栅极接触孔删减个数；栅极接触孔水平方向移动的距离；栅极多晶硅向上延伸的距离。

6.根据权利要求1所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

所述有源区接触孔设计参数包括：确定是否在有源区打接触孔；确定有源区接触孔上是否覆盖宽金属；有源区接触孔删减个数；有源区接触孔垂直方向的移动距离。

7.根据权利要求2所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

所述其它定制化参数包括：确定是否有晶体管器件类型标记层；确定是否有晶体管电容标记层；确定是否加入阱标记层。

8.根据权利要求1至7任一项所述的参数化定制晶体管版图的设计方法，其特征在于：

所述生成定制化版图结构包括：加入多个栅极接触孔设计参数和有源区接触孔设计参数，并根据设计规则自动计算出符合定制要求的版图单元。

9.一种芯片版图结构，其特征在于，包括至少一个晶体管版图结构，该晶体管版图结构采用如权利要求1至8任一项所述的一种参数化定制晶体管版图的设计方法所制作而成。