[发明专利]电极、干蚀刻设备和制造电极的方法有效
申请号: | 202110984975.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113436956B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 蔡广云;黄来国;权太植;金珉成;陶源;顾为飞 | 申请(专利权)人: | 湖北灿睿光电科技有限公司;合肥微睿光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 蚀刻 设备 制造 方法 | ||
1.一种电极,用于生成等离子体,包括:
铝基板(12),包括反应性气体的入口侧表面(13)和与所述入口侧表面(13)相对的反应性气体的出口侧表面(15),其中所述铝基板(12)还包括从所述入口侧表面延伸至所述出口侧表面(15)的多个均匀分布的贯通孔,所述贯通孔包括进气通道和与所述进气通道连通的安装孔(17);以及
多个嵌入体(14),所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)由陶瓷制成并且从所述出口侧表面(15)被嵌入安装至所述安装孔(17),其中所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)包括出气通道,所述出气通道与所述进气通道连通以使得来自所述入口侧表面的反应性气体进入所述进气通道并且通过所述出气通道而离开出口侧表面(15);
其中所述嵌入体(14)以过盈配合的方式被安装至所述铝基板(12)的安装孔(17);
其中所述嵌入体(14)包括适于定位所述嵌入体(14)的导向部(142)和适于与所述安装孔(17)干涉配合的配合部(146),其中所述导向部的直径小于所述安装孔(17)的直径;其中所述电极在所述出口侧表面(15)包括第一区域和第二区域,其中所述第一区域为覆盖所述铝基板(12)的表面且不覆盖所述嵌入体(14)的表面的区域,所述第二区域为所述嵌入体(14)的表面的区域,
其中所述第一区域包括具有氧化层(22)和覆盖在所述氧化层(22)上的Y2O3熔射层的两层结构,所述第二区域包括覆盖在所述第二区域上的Y2O3熔射层,其中所述Y2O3熔射层是在形成所述氧化层(22)之后被喷砂后经过熔射而形成。
2.根据权利要求1所述的电极,其中在所述嵌入体(14)被嵌入安装至所述安装孔(17)之后,所述铝基板(12)的所述出口侧表面(15)被阳极氧化以在所述出口侧表面(15)形成所述氧化层(22)。
3.根据权利要求2所述的电极,其中在所述出口侧表面(15)形成氧化层(22)之后,所述出口侧表面(15)被喷砂,并且经喷砂后的所述出口侧表面(15)被熔射Y2O3以在所述出口侧表面(15)形成所述Y2O3熔射层(24)。
4.根据权利要求1所述的电极,其中所述电极在所述出口侧表面(15)包括覆盖所述氧化层(22)的表面并且覆盖所述嵌入体(14)的表面的Y2O3熔射层(24)。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电极,其中所述嵌入体(14)包括在所述出口侧表面(15)处的第一出口通道(28),所述第一出口通道(28)的孔径小于所述进气通道(19)的孔径。
6.根据权利要求5所述的电极,其中所述嵌入体(14)包括孔径不小于所述进气通道的孔径并且与所述第一出口通道(28)对齐的第二出口通道(25),并且所述第二出口通道(25)与所述进气通道对齐。
7.一种干蚀刻设备,包括:
蚀刻室(30);
被布置在所述蚀刻室中的第一电极(10),其被构造成根据权利要求1-6中任一项所述的电极;以及
与所述第一电极(10)相对被布置在所述蚀刻室中的第二电极(20);
其中所述第一电极(10)和所述第二电极(20)被施加高频功率以将通过所述第一电极供给至所述蚀刻室的反应性气体电作用成等离子体。
8.一种用于制造根据权利要求1-6中任一项所述的电极的方法,
提供铝基板(12),所述铝基板(12)包括反应性气体的入口侧表面(13)和与所述入口侧表面(13)相对的反应性气体的出口侧表面(15),其中所述铝基板(12)还包括从所述入口侧表面延伸至所述出口侧表面(15)的多个均匀分布的贯通孔,所述贯通孔包括进气通道和与所述进气通道连通的安装孔(17);
提供多个嵌入体(14),所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)由陶瓷制成,其中所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)包括出气通道,所述出气通道适于与所述进气通道连通以使得来自所述入口侧表面的反应性气体进入所述进气通道并且通过所述出气通道而离开出口侧表面(15);以及
从所述出口侧表面(15)将所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)挤压嵌入所述安装孔(17);
其中所述嵌入体(14)以过盈配合的方式被安装至所述铝基板(12)的安装孔(17);
其中所述嵌入体(14)包括适于定位所述嵌入体(14)的导向部(142)和适于与所述安装孔(17)干涉配合的配合部(146),其中所述导向部的直径小于所述安装孔(17)的直径;其中所述电极在所述出口侧表面(15)包括第一区域和第二区域,其中所述第一区域为覆盖所述铝基板(12)的表面且不覆盖所述嵌入体(14)的表面的区域,所述第二区域为所述嵌入体(14)的表面的区域,
其中所述第一区域包括具有氧化层(22)和覆盖在所述氧化层(22)上的Y2O3熔射层的两层结构,所述第二区域包括覆盖在所述第二区域上的Y2O3熔射层,其中所述Y2O3熔射层是在形成所述氧化层(22)之后被喷砂后经过熔射而形成。
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