[发明专利]逻辑电路和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

在衬底上且含有氧化硅的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上且作为源电极或漏电极发挥功能的第一导电层；

在所述第一导电层上且与所述第一导电层的侧面及上表面相接触的氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上且作为布线层发挥功能的第二导电层；

在所述氧化物半导体层上且含有氧化硅的栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上且作为栅电极发挥功能的第三导电层，

所述第一导电层具有包含钼的单层结构，

所述氧化物半导体层具有铟、镓和锌，

所述第二导电层具有包括第一钛膜、所述第一钛膜上的铝膜及所述铝膜上的第二钛膜的层叠结构，

所述第三导电层具有包括第三钛膜和第二铝膜的层叠结构，

所述第一导电层的端部具有渐窄的形状，

所述氧化物半导体层在不存在所述第一导电层的区域，具有与所述第一绝缘层的上表面相接的区域，

所述第二导电层具有与所述第一导电层重叠的区域，

所述第二导电层具有与所述氧化物半导体层重叠的区域，

所述第二导电层具有与所述栅极绝缘层重叠的区域。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述第二导电层上，进一步具有作为平面化绝缘层发挥功能的第二绝缘层。