[发明专利]液处理方法和液处理装置

说明书

本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的液处理方法和液处理装置。液处理方法包括：将基片的背面的中心部载置在载置台上，并使该载置台旋转的工序；和从喷嘴对旋转的基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液，并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端，从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。

技术领域

本发明涉及液处理方法和液处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，使用液处理装置对作为基片的半导体晶片(下面，记为晶片)供给各种处理液进行液处理。作为该液处理的一个例子，有对晶片的背面供给清洗液进行清洗的处理。专利文献1中公开了一种晶片清洗装置，其中，将作为释放清洗液的液流的结构的喷嘴设置在晶片的背面侧，利用由晶片的旋转产生的离心力使从该喷嘴释放的清洗液在晶片的背面扩展以进行清洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-120911号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的技术。

用于解决技术问题的手段

本发明的液处理方法包括：将基片的背面的中心部载置在载置台上，并使该载置台旋转的工序；和从喷嘴对旋转的所述基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液，并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端，从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。

发明效果

本发明能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的液处理装置的纵截侧面图。

图2是上述液处理装置的平面图。

图3是表示由上述液处理装置进行的处理的工序图。

图4是表示由上述液处理装置进行的处理的工序图。

图5是表示由上述液处理装置进行的处理的工序图。

图6是表示由上述液处理装置进行的处理的工序图。

图7是表示由上述液处理装置进行的处理的工序图。

图8是表示上述处理工序中的清洗液的情形的说明图。

图9是表示上述处理工序中的清洗液的情形的说明图。

图10是表示上述处理工序中的清洗液的情形的说明图。

图11是表示上述处理工序中的清洗液的情形的说明图。

图12是表示设置在上述液处理装置中的喷嘴的例子的纵截侧面图。

图13是表示上述喷嘴的另一个例子的侧面图。

图14是表示上述喷嘴的释放口与投影的关系的平面图。

图15是表示上述液处理装置的另一个例子的纵截侧面图。

图16是表示上述液处理装置的又一个例子的平面图。

图17是表示参考试验的结果的说明图。

图18是表示比较试验的结果的说明图。

附图标记说明

T液流，W晶片，11旋转卡盘，41清洗用喷嘴。