[发明专利]一种真空蒸发镀膜设备

说明书

本发明公开一种真空蒸发镀膜设备，包括真空腔体，所述真空腔体内顶部设有中心回转机构，中心回转机构下端连接有用于放置待镀膜基板的工件盘，真空腔体内底部设有离子源装置以及用于蒸发镀膜材料的蒸发装置，真空腔体内设有加热装置，所述蒸发装置包括电子发生器、罐状水冷机构，罐状水冷机构环绕设于电子发生器外围，工件盘设有温度传感器，真空腔体外设有控制器，控制器根据温度传感器检测得到的温度控制罐状水冷机构的冷水循环。优点为：可即时将电子发生器多余的辐射热带出，避免温度过高而使基板翘曲等；可根据实时温度控制冷水循环，不仅避免了腔体内温度过高，也避免了热量浪费；设备特别适用于低温镀膜需求的基板，如小于1mm厚的微纳晶。

技术领域

本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种真空蒸发镀膜设备。

背景技术

自19世纪初薄膜被制造使用以来，一代一代的科学家对薄膜的理论、制备工艺、材料和应用领域进行了不断地深入研究，逐渐形成了较为完备的光学薄膜体系。现在薄膜技术在电子元器件、激光、航天等高科技行业领域有着极其广泛地应用，并且薄膜技术越来越影响着其产品的性能，已成为高科技行业的重要技术。

真空蒸发镀膜是将镀膜材料在真空环境中加热，使之气化并沉积到基片而获得薄膜材料的一种薄膜制造方法。

现有的真空蒸发镀膜方法主要应用于精密光学薄膜制造等领域，镀膜基板主要有光学玻璃、塑胶、树脂、半导体材料等基板。

由于光学膜层通常层数较多，从镀膜开始至镀膜结束，基板温度呈现递增式状态。按不同的镀膜要求和镀膜工艺，真空腔体内基板的温度在镀膜过程，温度从十几摄氏度到几百摄氏度的高温均有，(1)玻璃类的基板大多能够承受镀膜温度，但比较薄的基板，如厚度小于1mm的平面基板(如厚度小于1mm的微纳晶平面基板)，如果镀膜层数较多，镀膜温度升温较高，在镀膜完成后，基板翘曲变形严重，造成镀膜产品报废。(2)塑胶、树脂类的基板，通常不能承受高温(如下表1，列出了一些塑胶、树脂类基板玻璃化温度)，镀膜时，温度要控制在200℃以下。

表1部分塑胶、树脂类基板部分性能对比表