[发明专利]基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法有效
申请号: | 202110973110.6 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113707769B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 李福山;郑悦婷;孟汀涛;赵等临;胡海龙;郭太良 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;H10K71/13;H10K71/50;H10K71/16;H10K50/11 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 转移 印刷 绝缘 朗缪尔 单层 高精度 图案 led 漏电 阻挡 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层的制备方法,其特征在于:通过利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入图案化的绝缘层,以形成漏电流阻挡层,实现图案化及漏电流消除;
所述朗缪尔单层制备技术,用于使绝缘材料形成致密且有序排列的绝缘单层;
所述转移印刷技术,采用印章对绝缘单层进行抓取和释放,使绝缘单层实现从亚相液面到目标基板的转移。
2.根据权利要求1所述的基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层的制备方法,其特征在于:所述朗缪尔单层制备技术具体包括以下步骤:
步骤A1:将绝缘材料分散于亚相溶液与大气间的界面;
步骤A2:利用滑障压缩亚相液面的面积,使绝缘材料形成有序排列的致密单层。
3.根据权利要求1所述的基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层的制备方法,其特征在于:所述转移印刷技术具体包括以下步骤:
步骤B1:使用图案化印章对致密绝缘单层进行选择性抓取;
步骤B2:将印章与抓取的绝缘单层一同转移到目标基板上;
步骤B3:将印章与绝缘单层剥离,完成转移印刷过程。
4.根据权利要求3所述的基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层的制备方法,其特征在于:所述图案化印章与绝缘单层的材料间的粘附力大于目标基板与与绝缘单层的材料间的粘附力。
5.一种高精度图案化LED,其特征在于,采用如权利要求1-4其中任一所述的基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层的制备方法制成,各个功能层依次为:阳极、空穴注入层、空穴传输层、高精度图案化发光层、电子传输层和阴极,其中,所述高精度图案化发光层通过使用电致发光材料填充图案化的绝缘单层形成。
6.根据权利要求6所述的高精度图案化LED,其特征在于:所述阳极为金属氧化物材料,在可见光波段透明,方阻值小于300 Ω;厚度为100 ~ 200 nm;所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、氧化钼、氧化镍、硫氰亚铜中的一种。
7.根据权利要求6所述的高精度图案化LED,其特征在于:所述空穴传输层的价带能级结构与空穴注入层和高精度图案化发光层相匹配;所述电子传输层的导带能级结构与阴极和高精度图案化发光层相匹配。
8.根据权利要求6所述的高精度图案化LED,其特征在于:所述电致发光材料的能级结构与空穴传输层和电子传输层相匹配。
9.根据权利要求8所述的高精度图案化LED,其特征在于:所述电致发光材料为无机发光材料、有机发光材料中的一种,或多种的混合物;所述绝缘材料采用绝缘有机材料或绝缘无机材料。
10.根据权利要求5所述的高精度图案化LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在基板上沉积LED的阳极;步骤S2:在LED的阳极上沉积空穴注入层;步骤S3:在LED的空穴注入层上沉积空穴传输层;步骤S4:将基于朗缪尔单层制备技术的绝缘单层用高精度图案化印章转移印刷到LED的空穴传输层上;步骤S5:使用电致发光材料填充图案化的绝缘单层,形成LED的高精度图案化发光层;步骤S6:在LED的高精度图案化发光层上沉积电子传输层;步骤S7:在LED的电子传输层上沉积金属阴极。
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