[发明专利]控温装置及控温方法在审
申请号: | 202110962288.0 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN115903941A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 陈恩浩;章杏 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高天华;张颖玲 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
本申请实施例提供一种控温装置及控温方法,其中,所述控温装置位于涂胶显影机和光刻机的接口处;所述控温装置包括:温度检测模块和温度控制模块;所述温度检测模块与所述温度控制模块连接;所述温度检测模块用于实时检测所述接口处的实际温度;所述温度控制模块用于在所述实际温度不等于目标温度的情况下,控制所述接口处的实际温度达到所述目标温度。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,涉及但不限于一种控温装置及控温方法。
背景技术
半导体技术中的光刻制程是由涂布机和光刻机连接而成的一体机,高速动作完成包括涂胶、曝光、显影的循环流水线作业。在涂胶并进行高温曝光前的烘烤工艺之后,晶圆首先会进入接口冷却板块(Interface block chill plate,iCPL)进行退火处理,使得晶圆的温度降温到室温,并释放晶圆因前段制程而产生的应力,恢复形变。然后晶圆经过涂布机和光刻机的接口处(Interface)进入光刻机的温度稳定装置(Temperature stable unit,TSU)控温,使得晶圆保持恒定温度进行对准和曝光动作,保证套刻误差和线宽稳定。
然而,接口处是一个没有控温的环节,晶圆在接口处会带着不同的温度进入TSU,如果TSU控温时间不够,晶圆应力未及时释放,晶圆的形变会影响光刻机对准时套刻误差的真实性和稳定性,甚至超过产品规格,需要返工而降低生产线产能;如果TSU控温时间较长会降低光刻机的产能。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种控温装置及控温方法。
第一方面,本申请实施例提供一种控温装置,所述控温装置位于涂胶显影机和光刻机的接口处;所述控温装置包括:温度检测模块和温度控制模块;
所述温度检测模块与所述温度控制模块连接;
所述温度检测模块用于实时检测所述接口处的实际温度;
所述温度控制模块用于在所述实际温度不等于目标温度的情况下,控制所述接口处的实际温度达到所述目标温度。
在一些实施例中,所述实际温度包括所述接口处的环境温度和位于所述接口处内部的晶圆的表面温度;
所述温度检测模块用于检测所述环境温度和所述表面温度;
所述温度控制模块用于控制所述环境温度和所述表面温度均达到所述目标温度。
在一些实施例中,所述温度控制模块至少包括风淋单元;
所述风淋单元位于所述接口处内部的顶部,所述风淋单元至少用于控制所述接口处的环境温度达到所述目标温度。
在一些实施例中,所述温度控制模块还包括控温管路;所述控温管路中填充有控温液体或者控温气体;
所述控温管路至少与所述晶圆的承载台相接触,所述控温管路至少用于控制所述晶圆的表面温度达到所述目标温度。
在一些实施例中,所述控温管路还与所述光刻机内部的机械臂相接触;
所述机械臂用于将所述晶圆从所述涂胶显影机运送至所述光刻机内。
在一些实施例中,所述控温液体包括水;所述控温气体包括压缩气体。
在一些实施例中,所述温度检测模块包括第一检测子模块和第二检测子模块;
其中,所述第一检测子模块用于检测所述接口处的环境温度;
所述第二检测子模块用于检测位于所述接口处内部的晶圆的表面温度。
在一些实施例中,所述温度控制模块还包括控制器;所述控制器至少分别与所述第一检测子模块和所述风淋单元连接;
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