[发明专利]一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质

权利要求书

1.一种干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，包括：

获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；

根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；

若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。

2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度的步骤中，对单个晶圆对应的元素浓度的获取步骤，包括：

在所述单个晶圆进入所述干法刻蚀设备后，利用用于检测所述目标元素的目标光束对所述腔体进行照射；

接收所述腔体对所述目标光束的反射光，并基于所述反射光确定所述单个晶圆对应的元素浓度。

3.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数的步骤中，对单种间隔时长对应的自相关系数的计算步骤，包括：

根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度，计算所述多个晶圆对应的平均元素浓度；

根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度、所述平均元素浓度、以及自相关系数公式，计算所述单种间隔时长对应的自相关系数。

4.如权利要求3所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，所述自相关系数公式为其中，r_k表示所述单种间隔时长对应的自相关系数，k表示所述单种间隔时长，M表示所述多个晶圆的晶圆总数，μ表示所述平均元素浓度，x_t表示所述多个晶圆中第t个进入所述干法刻蚀设备的晶圆对应的元素浓度。

5.如权利要求1至4任意一项所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理之前，包括：

若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在位于数值范围以外的自相关系数，则确认所述位于数值范围以外的自相关系数为符合预设条件的自相关系数。

6.如权利要求5所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，在所述对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理之前，还包括：

根据所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数，确定可信区间，并基于所述可信区间确定所述数值范围。

7.如权利要求6所述的干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，所述根据所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数，确定可信区间，包括：

根据所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数，计算所述N种间隔时长对应的自相关系数均值以及自相关系数抽样误差；

获取预设的可信度阈值；

基于所述自相关系数均值、所述自相关系数抽样误差和所述可信度阈值确定所述可信区间。

8.一种干法刻蚀设备的腔体清理装置，其特征在于，包括：

元素浓度获取单元，用于获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；

自相关系数计算单元，用于根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；

腔体清理单元，用于若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。

9.一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述方法的步骤。