[发明专利]一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质

说明书

本申请适用于干法刻蚀领域，提供了一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。其中，上述干法刻蚀设备的腔体清理方法具体包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。本申请的实施例能够在合适的时机进行腔体清理，以在保证晶圆良率的同时，降低制造成本。

技术领域

本申请属于干法刻蚀领域，尤其涉及一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。

背景技术

干法刻蚀(Dry etching)，也称为干法蚀刻，是利用等离子体进行薄膜刻蚀的工业技术。当气体以等离子体形式存在时，一方面，这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与被刻蚀材料进行反应，实现刻蚀材料的目的；另一方面，利用电场对这些气体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀材料的表面时，能够将被刻蚀材料表面的原子击出，从而达到利用能量转移来实现刻蚀的目的。目前，干法刻蚀常被应用于晶圆制造工艺中，一般是在晶圆进入到干法刻蚀设备的腔体后，向腔体通入等离子体形式的气体，以实现对晶圆刻蚀。

但是，干法刻蚀过程中产生的许多副产物往往会堆积在腔体内，随着多个晶圆依序进入干法刻蚀设备，堆积在腔体内的副产物浓度将发生变化，而过高浓度的副产物将会影响对晶圆进行干法刻蚀的效果。

为了保证干法刻蚀的效果，目前常采用的方式是在每片或每几片晶圆进入干法刻蚀设备后进行一次腔体清理；或者是根据完成刻蚀后晶圆的线宽(inline CD)，检测线宽是否超过设定范围，并在线宽超过设定范围时清理腔体。

利用这些方法对腔体进行清理的时机往往并不准确，过于频繁的清扫将增加制造成本，而过于低频的清扫将影响晶圆的良率，因此，需要一种腔体清理方法，在合适的时机进行腔体清理，以在保证晶圆良率的同时，降低制造成本。

发明内容

本申请实施例提供一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和存储介质，可以在合适的时机进行腔体清理，以在保证晶圆良率的同时，降低制造成本。

本申请实施例第一方面提供一种干法刻蚀设备的腔体清理方法，包括：

获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；

根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；

若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。

本申请实施例第二方面提供的一种干法刻蚀设备的腔体清理装置，包括：

元素浓度获取单元，用于获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；

自相关系数计算单元，用于根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；

腔体清理单元，用于若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。

本申请实施例第三方面提供一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。