[发明专利]新型的低噪声低损耗IGBT

权利要求书

1.新型的低噪声低损耗IGBT，包括N型漂移层，所述的N型漂移层底部依次设置N型缓冲层、P型注入层和集电氧层，所述的集电氧层用于引出集电极，其特征在于，所述的N型漂移层内两侧均开设P体层，每一个P体层内两侧均开设N型发射层，每一个P体层内的两个N型发射层顶部均连接发射极金属层，所述的发射极金属层向外引出发射极，每一个P体层边侧顶部均连接栅氧层且所述的栅氧层同时连接N型发射层和P体层的边侧；所述的栅氧层上设置多晶硅栅层，所述的多晶硅栅层向外引出栅极，两个靠近的P体层中间设置去噪N型层，且所述的去噪N型层最底部低于N型发射层的最底部，且所述的去噪N型层一端插入到P体层内另外一端位于N型漂移层内。

2.如权利要求1所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的去噪N型层沿深度截面为L形，且L形去噪N型层对应的拐角处向外引出去噪极。

3.如权利要求2所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的去噪N型层上部相邻设置去噪导出金属层，所述的去噪导出金属层与多晶硅栅层/栅氧层之间设置绝缘层；所述的去噪导出金属层用于向外引出去噪极。

4.如权利要求3所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的去噪N型层从高层到低层配置不同的掺杂浓度区域。

5.如权利要求4所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的去噪极被配置仅在器件启动时具有有效信号。

6.如权利要求5所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的去噪极被配置仅在器件启动时具有有效信号，有效信号的持续时间和信号大小配置如下：

对于同一类产品，在去噪极连接一个与栅极同型号的电容；

在启动器件时获取去噪极所连接“与栅极同型号的电容”的输入端信号并且形成第一变化函数f1；

在启动器件时获取其他的电极噪声信号并且形成等效变化函数f2；

计算第一变化函数f1与等效变化函数f2的卷积函数f3，以卷积函数f3的负数值函数0-f3作为配置函数，将配置函数转换为信号变化分布，信号变化分布包括信号的大小和持续时间；然后按照信号变化分布配置有效信号的持续时间和信号大小。

7.如权利要求6所述的新型的低噪声低损耗IGBT，其特征在于，所述的获取去噪极所连接“与栅极同型号的电容”的输入端信号并且形成第一变化函数f1，具体是获取“与栅极同型号的电容”的输入端信号对时间变化的点值，然后将上述的点值拟合为连续的函数，该连续的函数即第一变化函数f1；

所述的获取其他的电极噪声信号并且形成等效变化函数f2，具体是获取其他的电极具有表征作用的信号对时间变化的点值，然后将上述的点值拟合为连续的函数，该连续的函数即等效变化函数f2。