[发明专利]一种深硅槽中选择性外延锗方法在审
| 申请号： | 202110956076.1 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113658905A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨荣 | 申请（专利权）人： | 杨荣 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/142 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 罗强 |
| 地址： | 100096 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深硅槽中 选择性 外延 方法 | ||
1.一种深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在硅衬底表面沉积硬掩膜，并制作深硅槽；
步骤2、在深硅槽的侧壁和底部同时选择性外延生长锗；
步骤3、高温退火使侧壁锗材料再分布；
步骤4、重复步骤2-3使深硅槽处外延生长锗表面高于硬掩膜；
步骤5、进行化学机械抛光使锗表面与硬掩膜表面齐平；
步骤6、去除硬掩膜，完成深硅槽的选择性外延锗。
2.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述步骤1中制作深硅槽具体步骤为：在沉积硬掩膜的衬底表面通过光刻定义锗窗口，并刻蚀掉锗窗口部分的硬掩膜以及硅，完成深硅槽制作。
3.根据权利要求2所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述深硅槽的深度为0.50-10um。
4.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述步骤1中沉积的硬掩膜厚度为500nm。
5.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述步骤2中底部锗厚度～1um。
6.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述步骤3中高温退火环境为氢气、氮气或氩气环境，退火温度为700-900oC。
7.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述步骤5中，抛光后硬掩膜厚度100nm。
8.根据权利要求1或2所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述硬掩膜为氧化硅、氮化硅或氧化硅与氮化硅多层膜组合中的一种。
9.根据权利要求1所述的深硅槽中选择性外延锗方法，其特征在于，所述锗为纯锗或锗硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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