[发明专利]显示面板有效
| 申请号: | 202110947907.9 | 申请日: | 2021-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN113394262B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 赵金阳;陈黎暄;石志清 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56;B41M3/00;B41M5/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
电场电极层,所述电场电极层设置在所述阵列基板上,所述电场电极层与所述像素电极层绝缘设置,所述电场电极层包括至少一个电场电极;其中,所述电场电极至少围绕所述像素电极的部分设置,所述电场电极与所述像素电极之间具有间隙,所述电场电极绕设所述像素电极的部分与所述像素电极之间的间隙距离相等;
其中,对所述像素电极层与所述电场电极层施加不同电压形成电压差,以在所述像素电极层和所述电场电极层之间形成电场,所述电场具有一个水平分量和一个垂直分量,所述垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往所述像素电极层沉积的作用力。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电场电极与所述像素电极一一对应,所述电场电极围绕所述像素电极设置形成一封闭图案。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分沿所述第一方向设置在相邻的两排所述像素电极之间,所述第二部分沿所述第二方向设置在相邻的两行所述像素电极之间,所述第一部分与所述第二部分相连,所述第一方向与所述第二方向相交。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极沿第一方向排布有多排,所述像素电极沿第二方向排布有多行,所述电场电极沿所述第一方向设置在相邻的两排所述像素电极之间,或沿所述第二方向设置在相邻的两行所述像素电极之间,所述第一方向与所述第二方向相交。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述间隙的大小介于1μm至10μm之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述显示面板还包括平坦化层,所述像素电极层设置在所述平坦化层上,并与所述薄膜晶体管连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括层叠设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、漏极走线以及源极走线,所述电场电极层为信号走线层,所述电场电极层与所述栅极层同层设置,或所述电场电极层与所述源极走线、所述漏极走线同层设置。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述电场电极层为辅助电极层,所述电场电极层与所述像素电极层同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述像素电极层远离所述阵列基板的一侧,所述像素定义层上设置有开口,所述开口与所述像素电极对应设置。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素电极层,所述像素电极层设置在所述阵列基板上,所述像素电极层包括多个像素电极;
其中,所述像素电极具有第一电极部以及第二电极部,所述第一电极部至少围绕所述第二电极部的部分设置;
其中,对所述第一电极部与所述第二电极部施加不同电压形成电压差,以在所述第一电极部和所述第二电极部之间形成电场,所述电场具有一个水平分量和一个垂直分量,所述垂直分量向发光功能层材料中的带电基团提供了往所述像素电极层沉积的作用力。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极部与所述第二电极部之间具有缝隙,所述第一电极部绕设所述第二电极部的部分与所述第二电极部之间的缝隙距离相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





