[发明专利]存储器装置的混合例程

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器阵列，其具有多个串和多个数据线，每一串包含多个存储器单元；以及

存储器控制器，其包含处理电路系统，所述处理电路系统包含一或多个处理器，所述存储器控制器配置成执行包括以下各项的操作：

在读取所述多个串中的串的存储器单元之前对所述多个数据线中的第一数据线预充电，所述串在所述存储器单元的所述读取期间选择性地耦合到所述第一数据线，其中所述第一数据线的相邻数据线在所述存储器单元的所述预充电和读取期间配置为所述第一数据线的屏蔽线；以及

将所述串耦合到所述第一数据线，使得在所述第一数据线的所述预充电期间启用所述串。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在所述第一数据线的所述预充电期间启用的所述串在所述预充电之后的感测阶段期间保持耦合到所述第一数据线。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述预充电为所述存储器装置的初始化期间的预充电阶段。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作包含在所述存储器装置的初始化例程期间，将所述存储器装置设定为以在所述第一数据线的预充电和感测期间所述第一数据线的所述相邻数据线操作为所述第一数据线的屏蔽线的架构操作。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作包含所述存储器装置的初始化块上的混合初始化例程，其中所述混合初始化例程包含对应于所述存储器装置的数据线的全数据线配置的感测读取例程、对应于其中在预充电期间启用选定串的所述数据线的屏蔽数据线配置的已修改感测读取例程以及与所述已修改感测读取例程相关联的读取重试例程。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列为具有用于所述存储器装置的初始化的所述存储器阵列的分配的三维阵列。

7.一种存储器装置，其包括：

多个数据线；

多个感测放大器，其耦合到所述多个数据线；

存储器阵列，其具有多个串，其中每一串包含多个存储器单元和漏极侧选择栅极SGD；以及

存储器控制器，其包含处理电路系统，所述处理电路系统包含一或多个处理器，所述存储器控制器配置成执行包括以下各项的操作：

激活所述多个串中的串的所述SGD以将所述串耦合到所述多个数据线中的第一数据线，使得在所述第一数据线的预充电期间启用所述串；以及

在读取所述串的存储器单元之前在所述串经启用的情况下对所述第一数据线预充电，其中在所述存储器单元的所述预充电和读取期间，所述第一数据线的相邻数据线配置为所述第一数据线的屏蔽线。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述操作包含在所述存储器装置的初始化期间，将所述存储器装置设定为以所述第一数据线的所述相邻数据线操作为所述第一数据线的屏蔽线的架构操作。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述设定是响应于在所述存储器阵列的初始化块上执行初始化例程。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述操作包含所述存储器阵列的初始化块上的初始化例程，其中所述初始化块具有多个串，其中每一串具有多个存储器单元，所述初始化例程包含：

在所述初始化块上执行第一感测读取例程，其中所述第一感测读取例程对应于所述数据线的全数据线配置，使得同时感测对应于所述初始化块的串的数据线和所述数据线的相邻数据线；以及

响应于确定所述第一感测读取例程的所述执行失败，在所述初始化块上执行第二感测读取例程，其中所述第二感测读取例程对应于数据线的屏蔽数据线配置，其中预充电及感测对应于所述初始化块的串的数据线且所述数据线的相邻数据线在所述预充电和感测期间配置为所述数据线的屏蔽线，其中在所述数据线的所述预充电期间启用所述初始化块的所述串。