[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202110940633.0 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN113644226A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 许明洙;赵成珉;高东均;金圣哲;金仁教;卢喆来;徐祥准;徐升旴;张喆旼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32;C23C16/455 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;沈照千 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
提供了一种显示设备。所述显示设备包括:基底;显示单元,形成在基底上;薄膜包封层,形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层,所述无机层包括第一子无机层,所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
本申请是申请日为2016年3月4日、申请号为201610124291.4的发明专利申请“显示设备”的分案申请。
技术领域
一个或更多个示例实施例涉及一种设备和方法,更具体地说,涉及一种显示设备和制造该显示设备的设备和方法。
背景技术
半导体装置、显示设备和其他电子装置包括多个薄膜。已经开发出形成薄膜的若干方法,在这方面的一个示例是气相沉积。
在气相沉积中,将一种或更多种气体用作用于形成薄膜的源材料。可以将气相沉积分类为化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等。
在ALD中,将源材料注入到ALD设备中,然后吹扫或泵送。然后,使单分子层或多分子层附于基底,将另一种材料注入到ALD设备中,并吹扫或泵送,从而按所期望地形成单原子层或多原子层。
在显示设备中,有机发光显示设备具有宽视角、良好的对比度和快速的响应速度,从而作为下一代显示设备引起关注。
有机发光显示设备包括第一电极、与第一电极相对的第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间层,有机发光显示设备还可以包括一个或更多个薄膜。在这种情况下,可以通过沉积来形成薄膜。
然而,由于有机发光显示设备的尺寸已经增大并且对高分辨率显示设备的需求已经增加,所以难以按所期望地沉积大的薄膜。另外,存在对于提高形成薄膜的工艺效率的限制。
发明内容
一个或更多个示例实施例的一个或更多个方面包括显示设备以及制造该显示设备的方法和设备。
另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述,并且部分地,将通过所述描述变得清楚,或者可通过所提出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个示例实施例,显示设备包括:基底;显示单元,形成在基底上;薄膜包封层,形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层,无机层包括第一子无机层,该第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种(从铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中选择的至少两种)的复合氧化物。
无机层可以包括第二子无机层,第二子无机层包括与第一子无机层中的复合氧化物不同的复合氧化物。
第二子无机层可以堆叠在第一子无机层上。
薄膜包封层还可以包括堆叠在无机层上的有机层。
基底可以包括聚酰亚胺。
第一子无机层可以是非晶的。
第一子无机层的厚度可以小于或等于10nm。
无机层可以还可以包括第二子无机层,第二子无机层堆叠在第一子无机层上并且包括金属氧化物和金属氮化物中的一种(从金属氧化物和金属氮化物中选择的一种)。
根据一个或更多个示例实施例,显示设备包括:基底;显示单元,形成在基底上;薄膜包封层,形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层,无机层包括:第一子无机层,包括氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)中的一种;第二子无机层,包括Al2O3、ZnO、ZrO2和HfO2中的另一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择