[发明专利]带腔体器件的气密封装结构和制造方法

权利要求书

1.一种带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，其包括：

半导体部件；

盖板；

键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；

第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；

第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；

连通所述第二腔体并未被所述键合层完全密封的连通孔；

薄膜层，用于密封所述连通孔，使所述第二腔体被完全密封。

2.根据权利要求1所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

完全密封的所述第一腔体内的气压和完全密封的所述第二腔体内的气压不同；

完全密封的所述第一腔体内的气体成分和完全密封的所述第二腔体内的气体成分可以相同或者不同；和/或

所述第一腔体内的第一微机电系统器件和所述第二腔体内的第二微机电系统器件不同。

3.根据权利要求1所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

所述盖板还包括形成于所述盖板的第一表面的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽沿所述盖板的第一表面间隔排布；

所述半导体部件还包括位于所述半导体部件的第一表面的第一微机电系统器件和第二微机电系统器件，所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件沿所述半导体部件的第一表面间隔排布；

所述第一凹槽与所述第一微机电系统器件所在区域的所述半导体部件的第一表面扣合，以形成第一腔体，所述第一微机电系统器件收容于所述第一腔体内；所述第二凹槽与所述第二微机电系统器件所在区域的所述半导体部件的第一表面扣合，以形成第二腔体，所述第二微机电系统器件收容于所述第二腔体内。

4.根据权利要求3所述的带腔体器件的气密封装结构的制造方法，其特征在于，

所述半导体部件还包括沟槽，所述沟槽形成于所述半导体部件的第一表面且位于所述第二微机电系统器件的外侧，

形成于所述半导体部件的第一表面的沟槽与形成于所述盖板的第一表面的第二凹槽的侧壁相对，所述沟槽与其相对的所述第二凹槽的侧壁围成连通所述第二腔体与外界的所述连通孔。

5.根据权利要求4所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

与所述沟槽相对的所述第二凹槽的侧壁位于所述沟槽的上方，或与所述沟槽相对的所述第二凹槽的侧壁悬置于所述沟槽内；

所述沟槽形成于第一结构层，所述第一结构层位于所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件下方；或所述沟槽形成于第二结构层，所述第二结构层与所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件同层。

6.根据权利要求4所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，所述半导体部件还包括衬底和位于所衬底上方的第一结构层，

所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件位于所述第一结构层远离所述衬底的一侧表面的上方，且沿该表面间隔排布；

所述沟槽形成于所述第一结构层远离所述衬底的一侧表面，且位于所述第二微机电系统器件的外侧，

或，所述半导体部件还包括衬底、第一结构层和第二结构层，

所述第一结构层位于所述衬底的上方；

所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件位于所述第一结构层远离所述衬底的一侧表面上方且沿该第一表面间隔排布；

所述第二结构层位于所述第一结构层上方，且所述第二结构层分别围绕所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件，或所述第二结构层仅围绕所述第二微机电系统器件；

所述沟槽形成于所述第二结构层远离所述第一结构层的一侧表面，且位于所述第二微机电系统器件外侧。

7.根据权利要求6所述的带腔体器件的气密封装结构，其特征在于，

所述第一结构层为电路层或介质层；

所述第二结构层与所述第一微机电系统器件和第二微机电系统器件同层；

所述微机电系统器件为陀螺仪、加速度计、压力传感器、惯性传感器或生物化学传感器。