[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号: | 202110930665.2 | 申请日: | 2016-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN113745098A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 桥本祐作;下青木刚;福田昌弘;田中公一朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括:在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下,从喷出口向晶圆的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜;在液膜形成在晶圆的表面上之后,在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下,以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转;在以第二转速使晶圆旋转之后,以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转;在以第三转速使晶圆旋转之后,使晶圆的转速为第二转速以下,从而在晶圆的表面上保持液膜。
本申请是申请号为201610849869.2、申请日为2016年09月26日、发明名称为“基板处理方法和基板处理装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本申请涉及基板处理方法、基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开有使用喷嘴的显影方法,该喷嘴具有显影液的喷出口和在喷出口的周围形成的接液面。该显影方法包括如下工序:在使基板旋转、以接液面与基板的表面相对的方式配置了喷嘴的状态下,从喷出口向基板的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在基板上形成显影液的液膜。
专利文献1:日本特开2015-53467号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请的目的在于提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的方法和装置。
用于解决问题的方案
本申请的基板处理方法包括:在使基板以第一转速旋转、使形成在喷嘴的喷出口的周围的接液面与基板的表面相对的状态下,从喷出口向基板的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在基板的表面上形成显影液的液膜;在液膜形成在基板的表面上之后,在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下,以比第一转速低的第二转速使基板旋转;在以第二转速使基板旋转之后,以比第一转速高的第三转速使基板旋转;在以第三转速使基板旋转之后,使基板的转速为第二转速以下,从而将液膜保持在基板的表面上。
根据该基板处理方法,在液膜的形成过程中,喷嘴的接液面与从喷嘴的喷出口供给到基板的表面的显影液接触。通过接液面与基板的表面之间的相对运动,显影液在它们之间被搅拌。因此,接液面与基板的表面之间的显影的进行速度的均匀性提高。
在形成液膜后,在基板的转速从第一转速降低到第二转速之后,提高到比第一转速高的第三转速。通过基板的转速从第一转速降低到第二转速,显影液靠近基板的旋转中心侧,通过基板的转速从第二转速提高到第三转速,显影液向基板的外周侧蔓延。在向基板的外周侧蔓延前,暂时靠近基板的旋转中心侧,从而向基板的外周侧扩散之际的显影液的动能增加,因此,基板的旋转中心侧的显影液更切实地向基板的外周侧散布。由此,液膜的膜厚以及液膜中的显影液的浓度的均匀性得以提高。因此,在液膜的形成后,显影的进行速度的均匀性也提高。
这样,在液膜的形成过程以及液膜的形成后这两者中,显影的进行速度的均匀性提高,因此,能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





