[发明专利]新型压电式MEMS麦克风的结构及装置

权利要求书

1.一种新型压电式MEMS麦克风的结构，其特征在于，所述结构包括：衬底、压电结构层、第一电极层和第二电极层；所述衬底为空腔结构，且空腔结构的所述衬底的一面设置有开口，所述第一电极层覆盖设置在所述开口位置上方，所述压电结构层设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层设置在所述压电结构层远离所述第一电极层的一侧，且所述第一电极层、所述压电结构层和所述第二电极层上相同的位置设置有贯穿的边缘孔，所述边缘孔分布在所述第一电极层、所述压电结构层和所述第二电极层的边缘位置；所述结构的所述边缘孔的位置为四个，四个所述边缘孔两两对应设置，所述结构还包括第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔和所述第二连接孔的轴线相互垂直，且所述第一连接孔和所述第二连接孔贯穿所述第一电极层、所述压电结构层和所述第二电极层，且所述第一连接孔和所述第二连接孔的两端分别连接对应的两个边缘孔。

2.根据权利要求1所述的新型压电式MEMS麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括第二压电结构层和第三电极层，所述第二压电结构层设置在所述第二电极层远离所述衬底的一侧，所述第三电极层设置在所述第二压电结构层远离所述第二电极的一侧。

3.根据权利要求2所述的新型压电式MEMS麦克风的结构，其特征在于，所述第一连接孔和所述第二连接孔贯穿所述第二压电结构层和所述第三电极层。

4.根据权利要求3所述的新型压电式MEMS麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括支撑部，所述支撑部设置在所述衬底远离所述第一电极的一侧。

5.根据权利要求4所述的新型压电式MEMS麦克风的结构，其特征在于，所述结构还包括氧化硅部与器件层硅部，所述氧化硅部设置在衬底靠近第一电极层的一侧，所述器件层硅部设置在所述氧化硅部与所述第一电极层之间。

6.一种新型压电式MEMS麦克风的装置，其特征在于，所述装置包括：数模转化装置和权利要求1-5任意一项所述的新型压电式MEMS麦克风的结构，所述数模转化装置的正负极分别与所述结构的第一电极层和第二电极层电连接，用于将所述第一电极层和所述第二电极层输出的电压信号转化为数字信号。