[发明专利]一种金属凸块的制造方法及金属凸块结构在审
申请号: | 202110921905.2 | 申请日: | 2021-08-12 |
公开(公告)号: | CN113380650A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 沈丽娟 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司;合肥颀中封测技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 制造 方法 结构 | ||
1.一种金属凸块的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板,所述基板的上表面形成有焊盘和钝化层,所述焊盘自钝化层上的钝化层开口向外暴露;
在钝化层的上表面及焊盘的上表面覆盖第一种子层;
在第一种子层之上形成介电层,去除预设位置的部分介电层,以在预设位置形成向外暴露所述焊盘的介电层窗格,同时,预设位置之外的介电层则形成介电块;
在介电块之上及介电层窗格内形成光阻层;
去除目标位置的光阻层以在目标位置形成向外暴露所述焊盘的光阻层窗格,其中,预设位置不超出目标位置的范围;
在光阻层窗格内成型基底凸块;
去除目标位置之外的剩余光阻层,在所述基底凸块外表面电镀形成电镀层;
去除电镀层覆盖区域之外的介电块。
2.根据权利要求1所述的金属凸块的制造方法,其特征在于,所述目标位置的范围大于所述预设位置的范围,以使所述光阻层窗格的尺寸大于所述介电层窗格的尺寸,部分所述介电块自所述光阻层窗格向外暴露;所述基底凸块成型后,部分所述基底凸块位于所述介电块之上。
3.根据权利要求2所述的金属凸块的制造方法,其特征在于,在光阻层形成前,所述金属凸块的制造方法还包括在介电块的上表面以及部分第一种子层的上表面形成第二种子层,并在第二种子层之上形成光阻层;
且在所述金属凸块外表面电镀成型电镀层之前,去除所述基底凸块覆盖区域之外的第二种子层。
4.根据权利要求2所述的金属凸块的制造方法,其特征在于,所述介电层窗格的尺寸不小于所述钝化层开口的尺寸,且所述钝化层开口不超出相应的介电层窗格。
5.根据权利要求1所述的金属凸块的制造方法,其特征在于,所述电镀层包括第一电镀层和第二电镀层,所述第一电镀层为形成在所述基底凸块上的电镀镍层,所述第二电镀层为形成在所述第一电镀层之上的电镀金层。
6.根据权利要求1所述的金属凸块的制造方法,其特征在于,所述基底凸块成型后,所述光阻层的上表面高于所述基底凸块的上表面5-10μm。
7.一种采用如权利要求1-6任一项所述金属凸块的制造方法制造的金属凸块结构,其特征在于,包括:
基板、设置在所述基板上表面的焊盘与钝化层,所述焊盘自所述钝化层上的钝化层开口向外暴露;
第一种子层,至少覆盖在所述焊盘的上表面并完全覆盖所述钝化层开口;
基底凸块,成型在所述第一种子层的上表面;
电镀层,包覆在所述基底凸块的外表面。
8.根据权利要求7所述的金属凸块结构,其特征在于,所述第一种子层与所述电镀层之间还形成有介电块,且部分所述基底凸块位于所述介电块之上。
9.根据权利要求8所述的金属凸块结构,其特征在于,所述第一种子层与所述基底凸块之间还设置有第二种子层,且部分第二种子层位于所述介电块与所述基底凸块之间。
10.根据权利要求8所述的金属凸块结构,其特征在于,所述介电块具有沿水平方向延伸的上表面和沿斜向方向延伸并向钝化层开口方向倾斜的倾斜面,部分所述基底凸块形成在倾斜面之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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