[发明专利]一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法

说明书

本发明公开了一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法，具体涉及陶瓷介质滤波器技术领域，包括以下步骤：S1：在陶瓷介质滤波器表面通过阳极层气体离子源对材料表面进行抛光、清洗处理；S2：在真空腔室内，对陶瓷表面进行离子注入处理，形成陶瓷‑金属混合层；S3：通过磁控溅射技术，在陶瓷表面沉积一层致密铜层；S4：在致密铜层表面采用通过电子束蒸发技术进行铜层的增厚处理，即制备第二铜层；S5：最后通过电子束蒸发技术沉积一层Ag金属层。本发明通过物理气相沉积的方式在陶瓷介质滤波器表面直接进行金属化，结合高，插入损耗值低，无环境污染。

技术领域

本发明涉及陶瓷介质滤波器技术领域，更具体地说，本发明涉及一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法。

背景技术

陶瓷介质滤波器是由锆钛酸铅陶瓷材料制成的，把这种陶瓷材料制成片状，两面涂银作为电极，经过直流高压极化后就具有压电效应。陶瓷介质滤波器利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、小频率温度系数和热膨胀系数，在通信系统中的作用是对信号频率进行选择和控制，选择特定频率信号通过，抑制不需要的频率信号。陶瓷介质滤波器主要应用在航天、微波、移动通信等领域。

现有的陶瓷介质滤波器采用化学电镀、喷涂、溅射、丝网印刷等工艺，在陶瓷介质基体上覆银层，经过烘银炉烧银，可使用激光设备调节镀银层。现有工艺工序复杂，并且不环保。而银浆等原材料依靠进口。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法。

一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法，包括以下步骤：

S1：在陶瓷介质滤波器表面通过阳极层气体离子源对材料表面进行抛光、清洗处理；

S2：在真空腔室内，对陶瓷表面进行离子注入处理，形成陶瓷-金属混合层；

S3：通过磁控溅射技术，在陶瓷表面沉积一层致密铜层；

S4：在致密Cu层表面采用通过电子束蒸发技术进行铜层的增厚处理，即制备第二铜层；

S5：最后通过电子束蒸发技术沉积一层Ag金属层。

所述步骤S1中，利用阳极层气体离子源技术对陶瓷表面进行抛光处理，氩气50-120sccm，电压100-450V，功率1-8kW，时间30-90min；粗糙度降低至0.5μm。

所述步骤S2中，利用离子注入技术在陶瓷层表面进行离子注入处理，金属靶材为Ti、Cu、或其合金，注入电压4-12kV，注入剂量1*10¹⁴-1*10¹⁸(ion/cm²)/(ion/cm³)。

所述步骤S3中，利用磁控溅射技术在陶瓷金属混合层表面沉积一层致密铜层，靶材为铜靶(纯度99.99％)氩气为80-150sccm，功率1-10kW，沉积厚度1-3微米。

所述步骤S4中，利用电子束蒸发技术在致密铜层表面制备第二铜层，铜粒纯度99.99％，本底真空度为1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，铜层厚度为2-5微米。

所述步骤S5中，利用电子束蒸发技术制备银层，银粒的纯度为99.99％，本底真空度为1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，银层厚度为2微米。

整体膜层的厚度在5-10μm，整体膜层结合强度大于40N/mm²，整体插入损耗值不高于0.8dB。

本发明的技术效果和优点：