[发明专利]高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路

说明书

本申请提供了一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路，该共模抑制电路应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，其中：副边绕组同名端的共模抑制单元和副边绕组异名端的共模抑制单元在信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路；也即，本申请提供的共模抑制电路能够在信号变压器出现共模电压信号时，通过相应的共模抑制单元分别将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路，避免了信号变压器高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，保证了IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。

技术领域

本发明涉及电路电子技术领域，具体涉及一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路。

背景技术

在高压变频器中，如图1所示，控制器（图中的CONTROL CIRCUITRY）经IGBT隔离驱动器（图中的GATE DRIVE）将低压侧的控制信号传送给高压侧的IGBT，从而实现IGBT开关。IGBT隔离驱动器通常采用光耦、容耦、变压器等隔离器进行信号的隔离传输。

以信号变压器为例，如图2所示，信号变压器输入和输出分别处于高压侧和低压侧，高压侧的IGBT在开关时会产生VCM（common mode voltage，共模电压）信号，通过信号变压器内部的耦合电容，会在高压侧和低压侧之间形成共模电流，从而使得高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，从而影响信号处理单元的正常工作。

发明内容

对此，本申请提供一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路，以解决高压侧的IGBT开关时产生的共模电压信号，会在高压侧和低压侧之间形成共模电流，导致高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲，从而影响信号处理单元的正常工作的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明第一方面公开了一种共模抑制电路，应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器，所述共模抑制电路包括：副边绕组同名端的共模抑制单元以及副边绕组异名端的共模抑制单元；

所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元在所述信号变压器出现共模电压信号时，分别用于以所述IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标，将所述副边绕组同名端和所述副边绕组异名端上的共模电流进行旁路。

可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组同名端的共模抑制单元和所述副边绕组异名端的共模抑制单元的结构相同。

可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组同名端的共模抑制单元，包括：第一电阻、第二电阻、第一开关管以及第二开关管；其中：

所述第一电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组异名端相连；所述第一电阻的另一端分别与所述第一开关管的控制端、所述第一开关管的第二端以及所述第二开关管的控制端相连；

所述第一开关管的第一端与所述第二开关管的第一端相连，并接地；

所述第二开关管的第二端与所述第二电阻的一端相连，连接点与所述IGBT隔离驱动器中相应的比较器的同相输入端相连；

所述第二电阻的另一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连。

可选地，在上述的共模抑制电路中，所述第一开关管和所述第二开关管均为NMOS管，或者，三极管。

可选地，在上述的共模抑制电路中，所述副边绕组异名端的共模抑制单元，包括：

第三电阻、第四电阻、第三开关管以及第四开关管；其中：

所述第三电阻的一端与所述信号变压器的副边绕组同名端相连；所述第三电阻的另一端分别与所述第三开关管的控制端、所述第三开关管的第二端以及所述第四开关管的控制端相连；