[发明专利]混合成像结构

说明书

本申请提供一种混合成像结构，涉及微电子技术领域，用于解决现有的混合成像芯片结构在衬底上布局不合理，导致衬底的整体尺寸较大，增加成本的技术问题，该混合成像结构包括第一互连结构，第一互连结构位于衬底的第一侧的表面上；可见光探测器件，可见光探测器件位于容置腔内，且靠近第二侧设置，可见光探测器件与第一互连结构电性连接；可见光探测器件包括相互连接的至少一个N型掺杂区和至少两个P型掺杂区，至少一个N型掺杂区位于至少两个P型掺杂区之间；多个垂直电极，多个垂直电极在第一互连结构远离衬底的一侧间隔排布。本申请能够使衬底上的结构布局更合理，缩小衬底的整体尺寸，降低成本。

技术领域

本申请涉及微电子技术领域，尤其涉及一种混合成像结构。

背景技术

随着工业和生活水平的发展，单纯的红外成像或者单纯的可见光成像已不能满足需求，具有更宽波段的成像技术越来越受到关注，特别是能同时对可见光和红外光敏感的成像技术。

市场上的混合成像技术一般是采用芯片集成的方案，将可见光和长波波段的成像处理芯片集成在一起。混合成像芯片结构具体包括：作为可见光过滤层的衬底；分别位于衬底上方和下表面的长波段光感应区域和可见光感应区域；以及用于将可见光感应区域和长波波段感应区域所输出的电信号进行计算并转换为图像的电路处理模块；其中电路处理模块位于衬底下方，且通过贯穿硅片的互连孔实现与硅片上方长波段光感应区域的电连接。

然而，上述的混合成像芯片结构在衬底上布局不合理，导致衬底的整体尺寸较大，增加成本。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种混合成像结构，能够使衬底上的结构布局更合理，缩小衬底的整体尺寸，降低成本。

为了实现上述目的，本申请实施例提供一种混合成像结构，该混合成像结构包括：

衬底，衬底上设置有容置腔，且衬底具有相对设置的第一侧和第二侧。

电路处理器件，电路处理器件位于容置腔内，且靠近第一侧设置。

第一互连结构，第一互连结构位于衬底的第一侧的表面上，第一互连结构与电路处理器件电性连接。

可见光探测器件，可见光探测器件位于容置腔内，且靠近第二侧设置，可见光探测器件与第一互连结构电性连接。可见光探测器件包括相互连接的至少一个N型掺杂区和至少两个P型掺杂区，至少一个N型掺杂区位于至少两个P型掺杂区之间。

多个垂直电极，多个垂直电极在第一互连结构远离衬底的一侧间隔排布。

红外探测器件，红外探测器件位于第一互连结构远离衬底的一侧，红外探测器件与第一互连结构电性连接。

在上述的混合成像结构中，可选的是，N型掺杂区为两个，P型掺杂区为三个，两个N型掺杂区和三个P型掺杂区相互交错排布。

在上述的混合成像结构中，可选的是，可见光探测器件包括第一叉指P型电极组和第二叉指P型电极组，第一叉指P型电极组中的叉指P型电极的数量和第二叉指P型电极组中的叉指P型电极的数量相等。

至少两个P型掺杂区包括第一P型掺杂区和第二P型掺杂区。

第一叉指P型电极组中的叉指P型电极的根部位于第一P型掺杂区上，第一叉指P型电极组中的叉指P型电极的端部朝第二P型掺杂区延伸。

第二叉指P型电极组中的叉指P型电极的根部位于第二P型掺杂区上，第二叉指P型电极组中的叉指P型电极的端部朝第一P型掺杂区延伸。

第一叉指P型电极组中的叉指P型电极与第二叉指P型电极组中的叉指P型电极依次交错排布，相邻的第一叉指P型电极组中的叉指P型电极和第二叉指P型电极组中的叉指P型电极在水平方向上至少部分相对设置，并形成电容。