[发明专利]三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，包括外围晶圆和阵列晶圆，其特征在于，

所述外围晶圆包括第一外围结构和第二外围结构；

所述阵列晶圆包括衬底以及位于所述衬底之上的待测试结构和多个互连部，其中，所述衬底中包括第一阱区和第二阱区，所述待测试结构包括第一连接端和第二连接端，所述多个互连部包括：

第一互连部，将所述第一外围结构与所述第一阱区电连接；

第二互连部，将所述第一外围结构与所述待测试结构的所述第一连接端电连接；

第三互连部，将所述第二外围结构与所述第二阱区电连接；以及

第四互连部，将所述第二外围结构与所述待测试结构的所述第二连接端电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述待测试结构为包括一个或多个三维存储串的三维存储阵列，并且所述待测试结构的所述第一连接端和所述第二连接端分别包括所述三维存储串中字线的两端。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述多个互连部中的每个分别包括：在所述待测试结构靠近所述外围晶圆的方向上交替堆叠的至少一组阵列晶圆连接块和阵列晶圆导体层；

所述阵列晶圆中还包括：多个阵列晶圆键合接触部，位于所述阵列晶圆靠近所述外围晶圆的接触面处，以及

多个阵列晶圆接触块，分别用于电连接各所述互连部与所述阵列晶圆键合接触部。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第二互连部与所述第四互连部具有相同数量和排布规律的堆叠结构，所述堆叠结构通过所述阵列晶圆连接块和所述阵列晶圆导体层交替堆叠形成。

5.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第二互连部与所述第四互连部分别通过相同数量和结构的所述阵列晶圆接触块各自电连接至一个所述阵列晶圆键合接触部。

6.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一外围结构包括：位于所述外围晶圆靠近所述阵列晶圆的接触面处的第一外围晶圆键合接触部和第二外围晶圆键合接触部，其中，

所述第一外围晶圆键合接触部与所述第一互连部所电连接的所述阵列晶圆键合接触部电连接；

所述第二外围晶圆键合接触部与所述第二互连部所电连接的所述阵列晶圆键合接触部电连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第一外围结构还包括：

第一外围电路；以及

第一外围晶圆接触块和第二外围晶圆接触块，位于所述第一外围电路靠近所述阵列晶圆的方向上，分别用于电连接所述第一外围电路至所述第一外围晶圆键合接触部和所述第二外围晶圆键合接触部。

8.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述阵列晶圆中还包括第一触点，所述第一触点位于所述第一阱区靠近所述外围晶圆的一侧，将所述第一阱区与所述第一互连部电连接。

9.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第二外围结构包括：位于所述外围晶圆靠近所述阵列晶圆的接触面处的第三外围晶圆键合接触部和第四外围晶圆键合接触部，其中，

所述第三外围晶圆键合接触部与所述第三互连部所电连接的所述阵列晶圆键合接触部电连接；

所述第四外围晶圆键合接触部与所述第四互连部所电连接的所述阵列晶圆键合接触部电连接。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述第二外围结构还包括：

第二外围电路；以及

第三外围晶圆接触块和第四外围晶圆接触块，位于所述第二外围电路靠近所述阵列晶圆的方向上，分别用于电连接所述第二外围电路至所述第三外围晶圆键合接触部和所述第四外围晶圆键合接触部。

11.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述阵列晶圆中还包括第二触点，所述第二触点位于所述第二阱区靠近所述外围晶圆的一侧，将所述第二阱区与所述第三互连部电连接。