[发明专利]单片集成霍尔电路

权利要求书

1.一种单片集成霍尔电路，包括：

含有IC电路的基板；

粘结层，所述粘结层位于基板的表面上；

磁感应部，所述磁感应部通过粘结层键合到基板上；和

电极部，所述电极部位于磁感应部的周边，所述电极部的一端与磁感应部形成欧姆接触，所述电极部的另一端与IC电路的引线端电连接。

2.根据权利要求1所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述基板是含有IC电路的柔性电路板或刚性电路板。

3.根据权利要求2所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述刚性电路板为包括IC电路的硅基晶圆，并且所述基板的引线端与电极部电连接以形成混合IC电路。

4.根据权利要求2所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述柔性电路板包括由聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的可挠性印刷电路板。

5.根据权利要求1所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述引线端设置在粘结层中，在形成电极部的同时形成互连引线端和电极部的互连线，或者通过引线连接引线端和电极部。

6.根据权利要求1所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述磁感应部由以下步骤制备得到：

在半导体单晶衬底上外延生长化合物半导体材料膜，作为化合物半导体霍尔的磁感应功能层；

在化合物半导体材料膜和基板的至少一个上涂覆粘结层，并且通过粘结层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起；

选择性移除半导体单晶衬底和化合物半导体材料膜的一部分，并且通过图形化工艺来形成所述磁感应部；

其中，所述磁感应部包括InSb、GaAs、InAs、InGaAs或InGaP。

7.根据权利要求6所述的单片集成霍尔电路，其中，

仅移除半导体单晶衬底的所述磁感应部的迁移率大于40000cm²/Vs，磁感应部的厚度为500nm-10μm。

8.根据权利要求6所述的单片集成霍尔电路，其中，

同时移除半导体单晶衬底和一部分化合物半导体材料膜的所述磁感应部的迁移率大于50000cm²/Vs且小于78000cm²/Vs，磁感应部的厚度为10nm-9μm。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述粘结层包括聚酰亚胺或环氧树脂；

所述单片集成霍尔电路还包括保护层，所述保护层至少覆盖所述磁感应部和电极部的全部。

10.根据权利要求9所述的单片集成霍尔电路，其中，

所述保护层包括氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、氮氧化硅膜、环氧树脂、硅胶、二氧化硅和聚酰亚胺膜中的任一种。