[发明专利]基材的上下料装置及上料方法、下料方法有效
申请号: | 202110903022.9 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113493097B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 吴凝香 | 申请(专利权)人: | 超捷半导体设备(深圳)有限公司 |
主分类号: | B65G37/00 | 分类号: | B65G37/00;B65G47/88;B65G47/90;B65G47/91 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭涛;刘曰莹 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区莲花街道福中社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 上下 装置 方法 | ||
1.一种基材的上下料装置,用于提供基材给处理装置进行处理以及取回处理后的基材,其特征在于:所述基材的上下料装置包括传送装置、第一承载装置、第二承载装置、上板区、下板区、第一中转处理区、第二中转处理区,所述处理装置包括上料区及下料区,所述待加工的基材被第一承载装置、第二承载装置依次从上板区经第一中转处理区运送至上料区进行加工处理,所述已加工的基材被第一承载装置、第二承载装置依次从下料区经第二中转处理区运送至下板区。
2.一种基材的上料方法,其采用如权利要求1所述的基材的上下料装置,其特征在于:所述基材的上料方法包括如下步骤:
步骤S11:第一承载装置被传送装置带动至上板区并装载第一待加工基材;
步骤S12:第一承载装置被传送装置带动并将第一待加工基材从上板区运送至第一中转处理区,第二承载装置被传送装置带动至上板区并装载第二待加工基材;
步骤S13:第一承载装置被传送装置带动并将第一待加工基材从第一中转处理区运送并放至上料区,第二承载装置被传送装置带动并将第二待加工基材从上板区运送至第一中转处理区;
步骤S14:第一承载装置被传送装置带动至上板区,第二承载装置被传送装置带动并将第二待加工基材从第一中转处理区运送至上料区,完成一次上料。
3.如权利要求2所述的基材的上料方法,其特征在于:在所述步骤S12中,所述基材的上下料装置包括第一止挡机构,当第一承载装置被传送装置带动并将第一待加工基材从上板区运送至第一中转处理区时,第一止挡机构工作,阻止在第一承载装置离开第一中转处理区之前,第二承载装置进入第一中转处理区。
4.如权利要求3所述的基材的上料方法,其特征在于:在所述步骤S13中,当第一承载装置被传送装置带动并将第一待加工基材从第一中转处理区运送至上料区时,第一止挡机构停止工作,解除对第二承载装置运送至第一中转处理区的阻止。
5.如权利要求2所述的基材的上料方法,其特征在于:所述第一待加工基材通过被第一承载装置夹持或吸附的方式装载至第一承载装置处;所述第二待加工基材通过被第二承载装置夹持或吸附的方式装载至第二承载装置处。
6.如权利要求2所述的基材的上料方法,其特征在于:所述第一待加工基材与第二待加工基材为覆铜箔板或印制电路板。
7.一种基材的下料方法,其采用如权利要求1所述的基材的上下料装置,其特征在于:所述基材的下料方法包括如下步骤:
步骤S21:第一承载装置被传送装置带动至下料区并装载第一已加工基材;
步骤S22:第一承载装置被传送装置带动并将第一已加工基材从下料区运送至第二中转处理区,第二承载装置被传送装置带动至下料区并装载第二已加工基材;
步骤S23:第一承载装置被传送装置带动并将第一已加工基材从第二中转处理区运送并放至下板区,第二承载装置被传送装置带动并将第二已加工基材从下料区运动至第二中转处理区;
步骤S24:第一承载装置被传送装置带动至下料区,第二承载装置被传送装置带动并将第二已加工基材从第二中转处理区运送至下板区,完成一次下料。
8.如权利要求7所述的基材的下料方法,其特征在于:在所述步骤S22中,所述基材的上下料装置包括第二止挡机构,当第一承载装置被传送装置带动并将第一已加工基材从下料区运送至第二中转处理区,第二止挡机构工作,阻止在第一承载装置离开第二中转处理区之前,第二承载装置进入第二中转处理区。
9.如权利要求8所述的基材的下料方法,其特征在于:在所述步骤S23中,所述基材的上下料装置包括第三止挡机构,当第一承载装置被传送装置带动并将第一已加工基材从第二中转处理区运送并放至下板区时,第二止挡机构停止工作,解除对第二承载装置运送至第二中转处理区的阻止,同时第三止挡机构工作,阻止在第一承载装置离开下板区之前,第二承载装置进入下板区。
10.如权利要求9所述的基材的下料方法,其特征在于:在所述步骤S24中,当第一承载装置被传送装置带动至下料区时,第三止挡机构停止工作,解除对第二承载装置运送至下板区的阻止。
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