[发明专利]图像感测装置

说明书

本公开涉及一种图像感测装置，该图像感测装置可以包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素；多个第一导电类型隔离层，多个第一导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第一深度形成在基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，其从保护环区域的第一表面到基础基板中的第二深度形成在基础基板中，并且被放置在第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，其从保护环区域的第二表面到基础基板中的第三深度形成在基础基板中，第一隔离层延伸到彼此相邻的第一导电类型隔离层和第二导电类型隔离层。

技术领域

本专利文档中公开的技术和实现方式总体上涉及一种图像感测装置。

背景技术

诸如CMOS图像传感器(CIS)的图像传感器的成像像素可以捕获光并将其转换为电信号。例如，成像像素将基于入射在光电二极管上的光子产生的电子引起的电位差转换为电信号。

成像像素可以彼此隔离。由每个隔离的成像像素检测到的光子可以被转换为电压，并且该电压被组合以表示图像。

近年来，CMOS图像传感器的分辨率的增大已经导致像素尺寸的减小。在这种趋势中，挑战之一是需要抑制相邻成像像素之间的光学串扰和电串扰。已经提出了许多像素隔离架构来抑制光学串扰和电串扰。

发明内容

本专利文档中公开的技术可以在各种实施方式中实现为提供一种可以减少像素阵列中的成像像素之间的串扰的图像感测装置。

在本公开的示例实施方式中，一种图像感测装置包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素；多个第一导电类型隔离层，多个第一导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第一深度形成在基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，至少一个第二导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第二深度形成在基础基板中，并且被放置在第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，第一隔离层从保护环区域的第二表面到基础基板中的第三深度形成在基础基板中，第一隔离层延伸到彼此相邻的第一导电类型隔离层和第二导电类型隔离层。

根据示例实施方式，结隔离和背侧深沟槽隔离(BDTI)可以彼此连接以防止噪声渗入像素阵列中。

附图说明

图1示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的像素阵列的示例。

图2示出图1中所示的像素阵列和保护环区域的示例。

图3A和图3B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。

图4A和图4B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。

图5A和图5B示出基于所公开技术的示例实施方式的隔离层的示例。

图6示出使用基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的成像装置。

图7示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置。

图8示出基于所公开技术的示例实施方式的电子装置。

具体实施方式

通过参照附图的图像感测装置的示例来描述本专利文档中公开的技术的特征。

尽管将讨论所公开的技术的几个实施方式，但是所公开的技术可以以除了本文描述的示例的细节之外的各种方式来实现。

图1示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的像素阵列的示例。图2示出图1中的像素阵列和保护环区域。

在下文中，将参照图2详细讨论图1中的像素阵列和保护环。图2详细示出了图1中的区域“A”。