[发明专利]发光元件及显示装置在审

专利信息
申请号: 202110870856.4 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN114068784A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 卓亨颖;沈立宇;洪侑毅;欧震;张利铭 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L27/15
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包含:

半导体叠层;以及

滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面,其中该滤光层包含交互堆叠的第一介电材料层以及第二介电材料层;

其中:该发光元件发出光线;

该光线包含第一方向光,且具有第一半高宽,以及第二方向光,且具有第二半高宽;

该第一方向光与该第二表面的法线方向的夹角介于45~90度,该第二方向光与该第二表面的该法线方向的夹角介于0~30度;以及

该第二半高宽小于该第一半高宽。

2.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有主波长以及峰值波长,该主波长与该峰值波长的差值小于3nm,以及该滤光层对于该峰值波长具有80%以上的穿透率。

3.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有峰值波长介于525nm至535nm,且该光线基于CIE 1931色度坐标具有色度坐标值(X1,Y1),其中X1≤0.2,Y1≥0.75,及/或该光线具有色纯度大于或等于92%。

4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二半高宽小于或等于25nm,及/或该光线在该第二方向的光强度大于该光线在该第一方向的光强度。

5.如权利要求1所述的发光元件,还包含基板位于该半导体叠层与该第一表面之间,且该第一表面面对该基板,或还包含反射结构位于该半导体叠层下并覆盖该半导体叠层,以及电极位于该反射结构下。

6.如权利要求1所述的发光元件,还包含:

基板,位于该半导体叠层下;以及

电极,位于该半导体叠层上;

其中,该滤光层包含开口,露出该电极。

7.一种发光元件,包含:

半导体叠层,发出第一光线;以及

滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面;

其中:该第一光线经由该滤光层得到第二光线;

该第一光线具有第一半高宽,该第二光线具有第二半高宽;以及

该第二半高宽小于该第一半高宽,及/或该第二光线具有一半高宽小于或等于25nm。

8.一种显示装置,包含多个像素,其中该多个像素之一包含如权利要求1至权利要求7任一所述的发光元件。

9.一种发光元件封装体,包含如权利要求1至权利要求7任一所述的发光元件,其中该发光元件封装体包含调变结构,覆盖该发光元件的侧面,其中该调变结构包含反射层、光吸收层、光阻挡层或滤光层。

10.一种发光元件,包含:

半导体叠层,发出第一光线;以及

滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面;

其中:该滤光层包含交互堆叠的第一介电材料层以及第二介电材料层;

该第一光线经由该滤光层得到第二光线;以及

该发光元件具有发散角介于50度至110度。

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