[发明专利]发光元件及显示装置在审
| 申请号: | 202110870856.4 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN114068784A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 卓亨颖;沈立宇;洪侑毅;欧震;张利铭 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 显示装置 | ||
1.一种发光元件,包含:
半导体叠层;以及
滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面,其中该滤光层包含交互堆叠的第一介电材料层以及第二介电材料层;
其中:该发光元件发出光线;
该光线包含第一方向光,且具有第一半高宽,以及第二方向光,且具有第二半高宽;
该第一方向光与该第二表面的法线方向的夹角介于45~90度,该第二方向光与该第二表面的该法线方向的夹角介于0~30度;以及
该第二半高宽小于该第一半高宽。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有主波长以及峰值波长,该主波长与该峰值波长的差值小于3nm,以及该滤光层对于该峰值波长具有80%以上的穿透率。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中该光线具有峰值波长介于525nm至535nm,且该光线基于CIE 1931色度坐标具有色度坐标值(X1,Y1),其中X1≤0.2,Y1≥0.75,及/或该光线具有色纯度大于或等于92%。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二半高宽小于或等于25nm,及/或该光线在该第二方向的光强度大于该光线在该第一方向的光强度。
5.如权利要求1所述的发光元件,还包含基板位于该半导体叠层与该第一表面之间,且该第一表面面对该基板,或还包含反射结构位于该半导体叠层下并覆盖该半导体叠层,以及电极位于该反射结构下。
6.如权利要求1所述的发光元件,还包含:
基板,位于该半导体叠层下;以及
电极,位于该半导体叠层上;
其中,该滤光层包含开口,露出该电极。
7.一种发光元件,包含:
半导体叠层,发出第一光线;以及
滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面;
其中:该第一光线经由该滤光层得到第二光线;
该第一光线具有第一半高宽,该第二光线具有第二半高宽;以及
该第二半高宽小于该第一半高宽,及/或该第二光线具有一半高宽小于或等于25nm。
8.一种显示装置,包含多个像素,其中该多个像素之一包含如权利要求1至权利要求7任一所述的发光元件。
9.一种发光元件封装体,包含如权利要求1至权利要求7任一所述的发光元件,其中该发光元件封装体包含调变结构,覆盖该发光元件的侧面,其中该调变结构包含反射层、光吸收层、光阻挡层或滤光层。
10.一种发光元件,包含:
半导体叠层,发出第一光线;以及
滤光层,位于该半导体叠层上,包含第一表面面对该半导体叠层以及第二表面相对于该第一表面;
其中:该滤光层包含交互堆叠的第一介电材料层以及第二介电材料层;
该第一光线经由该滤光层得到第二光线;以及
该发光元件具有发散角介于50度至110度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110870856.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种识别AFP的高亲和力TCR
- 下一篇:用于显示装置的驱动方法以及显示装置





