[发明专利]含铝SVR结构分子筛及其制备方法

权利要求书

1.一种含铝SVR结构分子筛的制备方法，其特征在于，该方法包括使用含有硅源、可选的铝源、模板剂、可选的晶种和水的初始凝胶混合物进行晶化；

其中，所述模板剂由下式(I)表示，

式中，n为1-4的整数，m为2-8的整数，X各自独立地为Cl、Br或OH，优选为OH。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述模板剂为1,1,6,6-四甲基-1,6-二氮杂十一元环-1,6-二季铵碱、1,1,6,6-四甲基-1,6-二氮杂十二元环-1,6-二季铵碱、1,1,8,8-四甲基-1,8-二氮杂十七元环-1,8-二季铵碱中的一种或多种，优选为1,1,6,6-四甲基-1,6-二氮杂十一元环-1,6-二季铵碱和/或1,1,6,6-四甲基-1,6-二氮杂十二元环-1,6-二季铵碱。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，所述初始凝胶混合物中，以SiO₂计的所述硅源、以Al₂O₃计的所述铝源、所述晶种与水的摩尔比为1：0-0.025：0-0.3：5-40，优选为1：0-0.017：0-0.1：8-2；

优选地，所述初始凝胶混合物中不含氟。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法，其中，所述初始凝胶混合物中，以SiO₂计的所述硅源与所述模板剂的摩尔比为1：0.05-0.3，优选为1：0.05-0.2。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备方法，其中，所述晶化的条件包括：在80-200℃晶化5-14天；

优选地，所述晶化的条件包括：在100-180℃晶化6-7天。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的制备方法，其中，所述晶化包括第一段晶化和第二段晶化，并且第一段晶化包括：在80-140℃下晶化0.5-2天，第二段晶化包括：在140-200℃下晶化4-10天；

优选地，第一段晶化包括：在100-140℃下晶化0.5-1天，第二段晶化包括：在140-170℃下晶化4-6天。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的制备方法，其中，所述晶化为静态晶化或动态晶化，优选为动态晶化；

优选地，所述动态晶化的旋转速度为15rpm-40rpm。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的制备方法，其中，所述硅源选自硅溶胶、固体硅胶、正硅酸乙酯和白炭黑中的一种或多种；和/或

所述铝源选自氯化铝、硫酸铝、水合氧化铝、偏铝酸钠和铝溶胶中的一种或多种；和/或

所述晶种为未脱除模板剂的SVR结构分子筛和/或经高温焙烧脱除模板剂的SVR结构分子筛，优选为经高温焙烧脱除模板剂的SVR结构分子筛。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的制备方法，其中，该方法还包括将晶化产物进行固液分离，然后将得到的固相依次进行洗涤、干燥以及可选的焙烧；

优选地，所述干燥的温度为90-120℃；

优选地，所述焙烧的温度为400-700℃。

10.利用权利要求1-9中任意一项所述的制备方法合成的含铝SVR结构分子筛；

优选地，所述含铝SVR结构分子筛为薄层状；

优选地，所述含铝SVR结构分子筛的晶粒宽度为0.5-5μm、晶粒厚度为50-200nm。