[发明专利]检查装置及检查方法在审
申请号: | 202110863453.7 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN114054985A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 荻原孝文 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | B23K26/50 | 分类号: | B23K26/50;B23K26/70 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
检查装置具备:光源,其向晶圆照射激光;作为测定部的AF单元,其测定作为晶圆上的激光L的入射面的背面(测定对象面)的位移;控制部,其构成为实行如下操作:以通过向晶圆照射激光而在晶圆的内部形成一个或多个改性区域的方式控制光源;以测定作为照射激光后的背面的位移的加工后位移的方式控制AF单元;基于由AF单元测定出的加工后位移,导出晶圆的加工状态的推定所涉及的信息。
技术领域
本公开涉及检查装置及检查方法。
背景技术
已知有一种检查装置,其为了沿着多条线的每一个切断具备半导体基板和形成于半导体基板的一个表面的功能元件层的晶圆,通过从半导体基板的另一面侧对晶圆照射激光而沿着多条线的每一个在半导体基板的内部形成多列改性区域。日本特开2017-64746号公报所记载的检查装置具备红外照相机,能够从半导体基板的背面侧观察形成于半导体基板的内部的改性区域、形成于功能元件层的加工损伤等。在该检查装置中,例如,基于这样的内部观察结果推定加工后的晶圆的龟裂状态,并基于龟裂状态的推定结果判定加工是否合格(在设定的加工条件下能否进行所希望的加工)。
发明内容
根据上述的检查装置,能够通过红外照相机进行的内部观察来高精度地推定晶圆的龟裂状态。在此,在本技术领域中,要求高精度地推定晶圆的龟裂状态(加工状态),并且更容易地推定龟裂状态(加工状态)。本公开鉴于上述实际情况而提出,涉及一种能够更容易地推定晶圆的加工状态的检查装置及检查方法。
本发明者等着眼于在激光加工后的入射面或该入射面的相反侧的面上的位移(凹凸形状)和晶圆的加工状态中存在相关性的情况,直至想出基于这样的晶圆的加工后位移来导出晶圆的加工状态的推定所涉及的信息的检查装置。
即,本公开的一个方式的检查装置具备:激光照射部,其向晶圆照射激光;测定部,其测定晶圆上的激光的入射面或该入射面的相反侧的面即测定对象面的位移;控制部,其构成为实行如下操作:控制激光照射部,以通过向晶圆照射激光而在晶圆的内部形成一个或多个改性区域;控制测定部,以测定照射激光后的测定对象面的位移即加工后位移;基于由测定部测定出的加工后位移,导出晶圆的加工状态的推定所涉及的信息。
在本公开的一个方式的检查装置中,测定被照射激光的晶圆上的入射面或入射面的相反侧的面即测定对象面的加工后位移,并基于该加工后位移导出晶圆的加工状态的推定所涉及的信息。如上所述,测定对象面上的加工后位移(凹凸形状)和晶圆的加工状态具有相关性。因此,通过基于加工后位移导出晶圆的加工状态的推定所涉及的信息,能够基于该推定的信息适当地推定晶圆的加工状态。而且,测定测定对象面的加工后位移的处理与例如通过红外照相机等进行的晶圆的内部观察来特定晶圆的加工状态(龟裂状态)的处理相比,非常容易。因此,根据本公开的一个方式的检查装置,能够更容易地推定晶圆的加工状态。
也可以是,上述检查装置还具备显示部,控制部控制显示部,以显示导出的晶圆的加工状态的推定所涉及的信息。通过由控制部将导出的晶圆的加工状态的推定所涉及的信息显示于显示部,例如,在显示用于推定加工状态的信息作为加工状态的推定所涉及的信息的情况下,用户能够基于显示内容容易地推定晶圆的加工状态。另外,在显示加工状态的推定结果本身作为加工状态的推定所涉及的信息的情况下,能够使用户确认加工状态的推定结果的妥当性。
也可以是,测定部具有测定单元,所述测定单元通过向测定对象面照射测定光,并且接收测定对象面上的测定光的反射光并进行检测,从而测定测定对象面上的位移。根据这样的结构,能够通过简易的结构及处理高精度地测定测定对象面上的位移。
也可以是,测定单元是为了调整由激光照射部向晶圆照射的激光的聚光点而测定测定对象面上的位移的自动对焦单元。根据这样的结构,能够使用在对晶圆进行激光照射的检查装置中通常设置的自动对焦单元来测定测定对象面上的位移。即,根据本结构,能够使用自动对焦单元测定晶圆表面的位移(凸凹形状),并基于该位移容易地推定晶圆的加工状态。
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