[发明专利]去除静电聚集的显影方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种去除静电聚集的显影方法。去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：向曝光后的基片表面喷淋预润液，使得基片上的光刻胶层进行预润湿；使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得显影液与基片感光区的光刻胶层发生反应；使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得清洗液去除反应后的显影液，和残留在感光区中的光刻胶；使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得去离子水带走基片表面形成的静电电荷；甩干基片表面的去离子水。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种去除静电聚集的显影方法。

背景技术

在半导体集成电路生产中，光刻工艺作为制作集成电路图形制作过程中的关键一步，对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。

通常，光刻工艺通过涂胶、曝光和显影三大步骤，将掩模板上的图形，转移到涂覆在晶圆表面的光刻胶上。

其中涂胶和显影的工艺通常采用旋涂，晶圆转速较高，尤其是显影工艺，其较高的转速使得显影液或去离子水在冲击晶圆时，容易因与晶圆表面的摩擦而产生静电，当静电聚集在晶圆表面达到一定量级时，会对后续工艺造成不利影响。

发明内容

本申请提供了一种去除静电聚集的显影方法，可以解决相关技术中静电聚集的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种去除静电聚集的显影方法，所述去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：

向曝光后的基片表面喷淋预润液，使得所述基片上的光刻胶层进行预润湿；

使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以所述第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应；

使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以所述第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得所述清洗液去除反应后的显影液，和残留在所述感光区中的光刻胶；

使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以所述第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得所述去离子水带走所述基片表面形成的静电电荷；

甩干所述基片表面的去离子水。

可选地，所述使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以所述第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应的步骤，包括：

使得预润湿后的基片以1000至2000转/分钟的第一转速进行高速旋转；

向以1000至2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，喷淋显影液；

使得喷淋所述显影液的基片保持所述第一转速5秒～30秒的时长，使得所述显影液与所述基片感光区的光刻胶层发生反应。

可选地，向以1000至2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，喷淋显影液的步骤，包括：

向以1000至2000转/分钟的第一转速，进行高速旋转的基片中心位置处的光刻胶层上，持续5秒～20秒的时长喷淋流速为200毫升/分钟～500毫升/分钟的显影液。

可选地，所述使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以所述第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得所述清洗液清洗去反应后的显影液，和残留在所述感光区中的光刻胶的步骤，包括：

使得显影后的基片以1500至2500转/分钟的第二转速进行高速旋转；