[发明专利]存储器功率门控技术

说明书

本发明题为存储器功率门控技术。本文所述的各种具体实施涉及具有由功率门控电源激活的存储器电路的设备。该设备可包括电平移位电路，该电平移位电路接收第一电压域中的开关控制信号，将该第一电压域中的开关控制信号移位到第二电压域，并且提供第二电压域中的开关控制信号。该设备可包括功率门控电路，该功率门控电路由该第二电压域中的开关控制信号激活，并且该功率门控电路可向该存储器电路提供功率门控电源，以在由该第二电压域中的开关控制信号激活时利用该功率门控电源触发该存储器电路的激活。

背景技术

本节旨在提供与理解本文所述的技术相关的信息。如本节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，绝不应当暗示其是现有技术。一般来讲，相关技术可被认为是或可不被认为是现有技术。因此，应当理解，本节中的任何陈述均应按此意义来理解，并且不作为对现有技术的任何认可。

在一些常规存储器设计中，非易失性(NV)应用在数据保持方面出现各种挑战。例如，如果核心电压已经上电，并且然后如果外围电压在此之后上电，则用于抑制写入操作的信号由于其对外围电压的依赖性而通常需要时间才升高。因此，在这种情况下，数据保持无法利用常规NV存储器设计保存，因为其通常与默认操作实例难以区分。在这种情况下，如果核心电压上电，并且如果时钟浮置，则字线可被触发以导致损坏NV存储器中的数据的错误写入，这将失去其保持特性并可能导致损坏。因此，需要改进NV存储器设计的物理布局。

附图说明

本文参考附图描述了各种技术的具体实施。然而，应当理解，附图仅示出了本文所述的各种具体实施，并且不旨在限制本文所述的各种技术的实施方案。

图1示出了根据本文所述的各种具体实施的功率门控架构的图。

图2示出了根据本文所述的各种具体实施的电平移位电路的图。

图3示出了根据本文所述的各种具体实施的电压跟踪电路的图。

具体实施方式

本文所述的各种具体实施涉及用于实现有效应用的功率门控方案和技术的物理布局设计。例如，本文所述的各种功率门控方案和技术提供了功率门控架构和自确定性电平移位器，其被配置为避免字线上的短时脉冲干扰，同时退出掉电模式并保持非易失性存储器(NVM)的保持特性。在一些具体实施中，本文所述的功率门控方案和技术可以提供具有由功率门控电源激活的存储器电路(例如，NVM)的设备。该设备可包括电平移位电路，该电平移位电路接收第一电压域中的开关控制信号，将该第一电压域中的开关控制信号移位到第二电压域(其不同于第一电压域)，并且提供第二电压域中的开关控制信号。另外，该设备可包括功率门控电路，该功率门控电路由该第二电压域中的开关控制信号激活，并且该功率门控电路可向该存储器电路提供功率门控电源，以在由该第二电压域中的开关控制信号激活时利用该功率门控电源触发该存储器电路的激活。

本文下面将参考图1至图3更详细描述功率门控方案和技术的各种具体实施。

图1示出了根据本文所述的各种具体实施的功率门控架构104的示意图100。

在各种具体实施中，功率门控(PG)架构104可指具有各种集成电路(IC)部件的系统或设备，这些IC部件被布置和耦接在一起作为提供物理电路设计和相关结构的部分的组装或组合。在一些情况下，将功率门控架构104设计、制造和提供为集成系统或设备的方法可利用本文所述的各种IC电路部件来实现，以便实现与其相关联的各种功率门控方案和技术。功率门控架构104可与单个芯片上的各种计算电路和部件集成，并且功率门控架构104还可在用于各种自动车辆、电子、移动和物联网(IoT)应用(包括遥感器节点)的嵌入式系统中实现。

如图1所示，功率门控(PG)架构104可包括由功率门控电源(pg_vddc)激活的存储器电路108。在一些情况下，存储器电路108可以指非易失性存储器(NVM)电路，并且在一些情况下，NVM电路可利用磁阻随机存取存储器(MRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)来实现。