[发明专利]晶片灵敏度确定和通信在审
申请号: | 202110851400.3 | 申请日: | 2021-07-27 |
公开(公告)号: | CN114004188A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | T·塞西尔 | 申请(专利权)人: | 美商新思科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/39 | 分类号: | G06F30/39;G03F1/00;G06F30/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张昊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 灵敏度 确定 通信 | ||
本公开涉及晶片灵敏度确定和通信。例如,一种方法包括:接收集成电路(IC)芯片设计,并且通过一个或多个处理器根据IC芯片设计生成晶片图像和晶片目标。该方法还包括通过一个或多个处理器基于确定晶片图像和晶片目标会聚而生成灵敏度信息,并输出灵敏度信息。灵敏度信息与写入掩模相关联,该掩模被写入以用于IC芯片设计。
技术领域
本发明涉及生成包括用于光刻制造系统的晶片灵敏度信息的掩模设计文件。
背景技术
集成电路(IC)芯片是使用光刻制造系统和对应的制造工艺制造的。掩模合成工具用于生成在光刻制造工艺期间使用的掩模设计。掩模写入工具根据掩模设计生成物理掩模。基于由掩模合成工具生成的掩模设计,在IC芯片的制造期间使用物理掩模。掩模合成工具实施光学邻近校正(OPC)和逆光刻技术(ILT)等工艺以生成掩模设计。掩模写入工具生成被光刻扫描仪使用来制造IC芯片的一个或多个掩模。在一个示例中,通过掩模写入工具(设备)生成掩模集合,其中每个掩模限定IC芯片内的不同层。掩模可通过在光刻胶涂覆的掩模坯料上曝光或写入图案来生成。掩模写入工具将掩模坯料暴露于光的图案以在掩模坯料上的感光材料内形成图案。掩模写入工具包括可变形波束(VSB)或多波束掩模写入器(MBMW)。曝光的掩模坯料被显影以生成物理掩模。
发明内容
在一个示例中,一种方法包括接收集成电路(IC)芯片设计,并通过一个或多个处理器根据IC芯片设计生成晶片图像和晶片目标。该方法还包括:通过一个或多个处理器,基于确定晶片图像和晶片目标会聚而生成灵敏度信息,并输出灵敏度信息。灵敏度信息与写入掩模相关联,该掩模被写入以用于IC芯片设计。
在一个示例中,一种非暂态计算机可读介质,包括存储的指令,当由处理器执行时,指令使处理器接收集成电路(IC)芯片设计并根据IC芯片设计生成晶片图像和晶片目标。处理器进一步基于确定晶片图像和晶片目标会聚而生成灵敏度信息,并将灵敏度信息输出到掩模写入设备。
在一个示例中,一种光刻系统,包括存储器和与存储器耦合的处理器。处理器被配置为接收集成电路(IC)芯片设计,并根据IC芯片设计生成晶片图像和晶片目标。处理器进一步被配置为基于确定晶片图像和晶片目标会聚而生成灵敏度信息,并将灵敏度信息输出到掩模写入设备。
附图说明
将从下面给出的详细描述和本公开实施例的附图中更充分地理解本公开。附图用于提供对本公开实施例的知识和理解,并且不将本公开的范围限于这些特定实施例。此外,附图不一定按比例绘制。
图1示出了根据一个或多个示例的光刻系统的示例框图。
图2示出了根据一个或多个示例的用于确定灵敏度信息的方法的流程图。
图3示出了根据一个或多个示例的用于确定灵敏度信息的方法的流程图。
图4示出了根据一个或多个示例的用于确定灵敏度带的方法的流程图。
图5示出了根据一个或多个示例的示例灵敏度带。
图6示出了根据一个或多个示例的用于确定灵敏度量的方法的流程图。
图7示出了根据一个或多个示例的示例灵敏度量。
图8示出了根据一个或多个示例的用于确定灵敏度梯度的方法的流程图。
图9示出了根据一个或多个示例的示例灵敏度梯度。
图10示出了根据本公开的一些实施例的集成电路的设计和制造期间使用的各种工艺的流程图。
图11示出了本公开实施例可操作的示例计算机系统的抽象图。
具体实施方式
本公开的方面涉及晶片灵敏度确定和通信。
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