[发明专利]存储器设备及其操作方法

说明书

本文中提供的是能够在一个就绪/忙碌时段中完成模糊‑精细编程操作的存储器设备。该存储器设备可以包括：多个存储器单元，这些存储器单元被配置为形成多个页；外围电路，该外围电路被配置为在多个页中的与被选择的页相邻的页上执行第一编程操作，并且在被选择的页上执行第二编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路：从存储器控制器连续接收与被选择的页相邻的页的最低有效位(LSB)页数据、被选择的页的中间有效位(CSB)页数据和最高有效位(MSB)页数据，将与被选择的页相邻的页的LSB页数据编程到与被选择的页相邻的页，获得先前存储在被选择的页中的、被选择的页的LSB页数据，并且将被选择的页的LSB页数据、CSB页数据以及MSB页数据编程到被选择的页。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月20日提交的韩国专利申请号10-2020-0136182的优先权，上述申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本文描述的一个或多个实施例涉及存储器设备以及操作存储器设备的方法。

背景技术

存储设备可以在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机设备的控制下存储数据。存储设备的示例包括在磁盘上存储数据的硬盘驱动器(HDD)和在半导体存储器(例如，非易失性存储器)中存储数据的固态驱动器(SSD)或存储器卡。

存储设备可以包括存储器控制器来控制数据在存储器设备中的存储。存储器设备可以被分类为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变型随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电型RAM(FRAM)等。

发明内容

本公开的各种实施例涉及能够在一个就绪/忙碌时段中完成模糊-精细编程操作的存储器设备，以及操作存储器设备的方法。

本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备，该存储器设备包括：多个存储器单元，这些存储器单元被配置为形成多个页；外围电路，该外围电路被配置为在多个页中的与被选择的页相邻的页上执行第一编程操作，并且在被选择的页上执行第二编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路：从存储器控制器连续地接收与被选择的页相邻的页的最低有效位(LSB)页数据、被选择的页的中间有效位(CSB)页数据和最高有效位(MSB)页数据，将与被选择的页相邻的页的LSB页数据编程到与被选择的页相邻的页，获得先前存储在被选择的页中的、被选择的页的LSB页数据，并且将被选择的页的LSB页数据、CSB页数据以及MSB页数据编程到被选择的页。

本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备，该存储器设备包括：多个存储器单元，这些存储器单元被配置为形成多个页；外围电路，该外围电路被配置为在多个页中的与被选择的页相邻的页上执行第一编程操作，并且在被选择的页上执行第二编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路控制执行第一编程操作和第二编程操作。控制逻辑可以包括：地址控制器，该地址控制器被配置为基于第二编程操作待在其上被执行的目标地址来生成新地址；以及编程控制器，该编程控制器被配置为基于新地址来输出操作信号，以执行第一编程操作和第二编程操作。

本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法，该存储器设备包括被配置为形成多个页的多个存储器单元。该方法可以包括：从存储器控制器连续地接收多个页中的与被选择的页相邻的页的最低有效位(LSB)页数据、被选择的页的中间有效位(CSB)页数据和最高有效位(MSB)页数据；执行将与被选择的页相邻的页的LSB页数据编程到与被选择的页相邻的页的第一编程操作；执行读取先前存储在被选择的页中的、被选择的页的LSB页数据的恢复操作；以及执行将通过对被选择的页的LSB页数据、CSB页数据和MSB页数据进行组合而生成的数据编程到被选择的页的第二编程操作。