[发明专利]驱动保护电路在审
| 申请号： | 202110841062.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113381743A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;葛征良;罗鹏 | 申请（专利权）人： | 成都氮矽科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 610000 四川省中国(四川)自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 保护 电路 | ||
1.一种驱动保护电路，其特征在于，包括电连接的至少两个驱动保护模块，每个所述驱动保护模块包括驱动模块、下拉电阻、反相电路、第一开关管和第二开关管，所述驱动模块的第一输出端与所述第二开关管的第一端连接，所述驱动模块的第一输出端通过所述反相电路与所述第一开关管的第一端连接，所述驱动模块的第二输出端与所述第一开关管的第三端连接，所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接，所述下拉电阻与所述第一开关管并联，所述第二开关管的第二端与相邻的前一个驱动保护模块中的第二开关管的第三端连接。
2.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述反相电路包括反相器，所述反相器的输入端与所述驱动模块的第一输出端连接，所述反相器的输出端与所述第一开关管的第一端连接。
3.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第一开关管包括第一MOS管，所述第一开关管的第一端为所述第一MOS管的栅极，所述第一开关管的第二端为所述第一MOS管的漏极，所述第一开关管的第三端为所述第一MOS管的源极。
4.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第二开关管包括第二MOS管，所述第二开关管的第一端为所述第二MOS管的栅极，所述第二开关管的第二端为所述第二MOS管的漏极，所述第二开关管的第三端为所述第二MOS管的源极。
5.根据权利要求4所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第二MOS管为GaN HEMT管、N型硅MOS管或SiC MOS管。
6.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述驱动模块包括驱动芯片。
7.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述驱动保护模块还包括上拉电阻，所述驱动模块的第一输出端通过所述上拉电阻与所述第二开关管的第一端连接。
8.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述下拉电阻并联在所述第一开关管的第二端与第三端之间。
9.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述驱动保护模块还包括串联电阻，所述串联电阻设置在所述反相电路与所述第一开关管之间。
10.根据权利要求9所述的驱动保护电路，其特征在于，所述串联电阻的一端与所述反相电路的输出端连接，所述串联电阻的另一端与所述第一开关管的第一端连接。
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